La tensión de bloqueo alta permite a los ingenieros de potencia sustituir los MOSFETs de silicio convencionales  con los nuevos SiC MOSFETs, ofreciendo una eficacia encía más alta, un driver más simple y una menor disipación térmica  reduciendo los costos totales del sistema..
El nuevo encapsulado SMD está diseñado específicamente para los MOSFET SiC de alta tensión ocupa un área pequeña y tiene una amplia distancia de fuga de 7mm entre drenaje y fuente. Esto es posible debido al tamaño pequeño del semiconductor y la alta capacidad de bloqueo de la tecnología planar de los SiC MOSFETs de Wolfspeed ™. El nuevo encapsulado incluye también un pin conectado a la fuente del MOSFET lo cual ayuda a reducir ruidos en la puerta y provee señales más limpias.
"Nuestro nuevo 1700 V SiC MOSFET proporciona a los ingenieros de electrónica de potencia  ventajas significativas en el diseño en topologías flyback," explica Edgar Ayerbe, Gerente de Mercadotecnia de Wolfspeed de los MOSFETs de potencia. "Debido a las bajas pérdidas de conmutación en el carburo de silicio, los dispositivos operan a temperaturas mucho más bajas en el semiconductor. Esto permite a los clientes montar directamente los dispositivos en el PCB sin requerir disipadores de calor adicionales. Esto reduce  los costos de fabricación y mejora la fiabilidad en los sistemas. El resultado es una fuente de alimentación más pequeña, más ligera, y con un menor costo del sistema que no es posible lograr utilizando dispositivos de silicio convencionales."
La aplicación del  nuevo  SiC MOSFET de 1700 V está contemplado principalmente para e  fuentes de alimentación auxiliares dentro de inversores de alta potencia, tales como inversores de la energía solar, variadores de frecuencia para motores, equipos UPS, convertidores de energía  eólica y sistemas  de tracción.  Estos sistemas típicamente requieren convertir la tensión del bus a una tensión de corriente directa baja para operar la lógica del sistema, circuitos de protección, pantallas, la interfase con la red y ventiladores de enfriamiento. Estos también pueden ser utilizados en las fuentes de alimentación de contadores de consumo eléctrico trifásicas, o en cualquier aplicación en donde el convertidor requiera de una alta tensión de bloqueo y una baja capacitancia.
El nuevo MOSFET SiC de 17000V está designado como C2M1000170J y tiene una capacidad de avalancha arriba de los 1800V, y una resistencia Rdson de 1Ω. Estas características aseguran un rendimiento fiable en circuitos de convertidores de retorno (Flyback), incluyendo aquellos en entornos eléctricos ruidosos, como los que se encuentran en inversores de alta potencia. El SiC MOSFET de 1700V simplifica el diseño de topologías de retorno (Flyback) con un sencillo interruptor de tensiones de entrada desde los 200V hasta los 1000V, reduciendo la complejidad del control de la  unidad y reduciendo o eliminando los condensadores  de supresión (Snubber) requeridos en dispositivos de silicio.
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