El IRL6283M tiene una Rds(on) de solo 500 µOhm (típica) en un encapsulado DirectFET® Medium Can de 30 mm2 para reducir significativamente las pérdidas en conducción. Esto hace que resulte ideal para aplicaciones de juntas tóricas activas y de fusible electrónico (eFuse). El nuevo dispositivo puede trabajar con carriles de alimentación de 3,3V, 5V o 12V y disminuyen las pérdidas en un 15% a 20A respecto a los mejores dispositivos PQFN del mercado en el mismo formato de 30mm2, permitiendo así que los diseñadores puedan reducir el número de componentes en aplicaciones de alta corriente.
 
Al igual que toda la familia DirectFET®, el IRL6283M permite la refrigeración de la cara superior para mejorar el rendimiento eléctrico y térmico y una conexión del hilo conductor sin empalmes que aumenta la fiabilidad. Además, el encapsulado DirectFET® cumple todos los requisitos RoHS como su lista de materiales completamente libres de plomo muy adecuada para diseños con largas vidas operativas. Los otros encapsulados de altas prestaciones existentes en el mercado incorporan una conexión a la pastilla de semiconductor que contiene plomo, según una exención 7(a) de RoHS que llega a su fin en 2016.
 
La familia StrongIRFET™ de IR también incluye dispositivos PQFN estándar en encapsulados respetuosos con el medio ambiente, libres de plomo y cuya lista de materiales es conforme a RoHS.

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