Gracias al diseño optimizado del encapsulado, el nuevo TLP3475W ha reducido la capacitancia e inductancia parásitas, con lo que se reducen las pérdidas por inserción de señales en el rango de frecuencias de 20 GHz (típ.). Esto representa una mejora del rendimiento de 1,5 veces con respecto al dispositivo TLP3475S existente.

La corriente (IFT) necesaria para accionar el LED es <3,0mA y la resistencia en estado encendido (RON) es típicamente 1,1Ω. La tensión de aislamiento (BVs) supera los 300Vrms y la capacitancia de salida (COFF) es inferior a 20pF, lo que contribuye a tiempos de conmutación del orden de 2ms. Ofrece una función normalmente abierta (NO) / 1-Forma-A.

El nuevo TLP3475W está alojado en un encapsulado WSON4 de sólo 1,45 mm x 2,0 mm x 0,8 mm (típ.), lo que lo convierte en uno de los fotorelés más pequeños disponibles actualmente. Es un 40% más pequeño que el encapsulado ultracompacto S-VSON4T de Toshiba y resulta especialmente útil en diseños multicanal en los que se instalan varios dispositivos en una sola tarjeta.

El rango de temperatura de funcionamiento va desde -40 ºC a +110 ºC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales, incluidas las pruebas de semiconductores a alta velocidad.

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