Los nuevos dispositivos aprovechan la tecnología de oblea ultrafina de zanja de tipo “field stop” de IR, que disminuye las pérdidas en conducción y en conmutación. Los dispositivos, que se suministran bajo el mismo encapsulado con un diodo de recuperación suave de baja Qrr y se caracterizan por un tiempo mínimo de cortocircuito de 10us, están optimizados para aplicaciones industriales robustas.
 
Estos nuevos IGBT de zanja de 1200V presentan una Vce(on) muy baja y unas pérdidas en conmutación muy reducidas, así como una mayor eficiencia del sistema y su capacidad de respuesta ante transitorios para aumentar su fiabilidad, por lo que se adaptan bien a entornos industriales adversos.
 
Los dispositivos encapsulados cubren un amplio rango de corrientes de 10 – 50A. Otras ventajas clave son Tjmax de 150°C, coeficiente de temperatura positivo de VCE(on) para facilitar la conexión en paralelo y disminuir VCE(on) para reducir la disipación de potencia y lograr una mayor densidad de potencia. También se suministran productos sin encapsular.

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