Construidos sobre la tecnología Trench PT IGBT propiedad de Vishay, el VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S, y VS-GP400TD60S proporcionan tensión extremadamente bajas colector-emisor de hasta 1,10 V y el consumo de energía en conmutación de apagado a 11 mJ para etapas del inversor de salida.
Con su construcción Trench PT IGBT PT, los dispositivos de Vishay Semiconductors presntados, alcanzan un tamaño más pequeño que los IGBT planares, proporcionando a los diseñadores con mayor densidad de corriente y resistencia térmica inferior (junction to case) sin comprometer el rendimiento. Los dispositivos de baja tensión colector-emisor permiten pérdidas extremadamente bajas de la conducción, mientras que su conmutación de energía de apagado es un 50% menor que los dispositivos de la generación anterior para aumentar la eficiencia y la fiabilidad a largo plazo.
El half-bridge VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S, y VS-GP400TD60S combinan IGBTs Trench PT con diodos antiparalelos HEXFRED® y FRED PT® diodos en el encapsulado INT-A-PAK y doble encapsulado INT-A-PAK con una muy bajo perfil de 17 mm. El VS-GP250SA60S monoconmutador, cuenta con el encapsulado SOT-227, que ofrece muy baja inductancia parásita de ≤ 5 nH típica, y es está E78996 UL-aprobado.
Los módulos que cumplen con RoHS cuentan con frecuencias de funcionamiento a 1 kHz, tensiones 600 V colector-emisor y corriente de colector continua de 100 A a 400 A. Los dispositivos se pueden montar directamente a los disipadores de calor y ofrecen baja EMI.

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