Usando el puntero proceso epitaxial de Toshiba, la nueva serie DTMOS IV-H de MOSFETs super junction es ideal para aplicaciones que requieren una alta fiabilidad, eficiencia energética y un diseño compacto. Son aplicables a fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia para servidores y estaciones base de telecomunicaciones, y acondicionadores de potencia de los inversores fotovoltaicos.
 
La nueva serie logra un rendimiento de conmutación de alta velocidad mientras que mantiene el nivel de baja resistencia en modo "ON" del convencional DTMOS IV - todo ello sin pérdida de potencia. Esto se logra a través de la reducción de la capacitancia parásita entre puerta (Gate) y drenaje (Drain), (Ciss típico va desde 3000 a 6500pF) lo que también contribuye a mejorar la eficiencia energética y la reducción de tamaño de los productos.
 
Los resultados de optimización del patrón de puerta consiguen una reducción del 45 por ciento en la carga puerta-drenaje (rangos Qg típicos desde 65 a 135nC) en comparación con el convencional DTMOS IV. La nueva línea de productos presenta baja resistencia "ON" (RDS(ON) MAX a VGS=10V oscila entre 0.088 a 0.040Ω ) y los dispositivos sólo sufren un pequeño aumento en la baja resistencia "ON" a altas temperaturas debido a la utilización del proceso epitaxial. La corriente drenada por los dispositivos oscila entre entre 30,8 y 6,8A.
 
La nueva serie DTMOS IV-H está actualmente disponible en encapsulados T0-247, con las opciones de encapsulados adicionales, incluyendo 8x8mm DFN, T0- 220 y T0-220SIS disponibles muy pronto.

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