International Rectifier ha lanzado una familia de dispositivos de 300V que incorporan la más avanzada tecnología de silicio en MOSFET de potencia de IR para ofrecer una resistencia en conducción (Rds(on)) que marca la referencia en una amplia variedad de aplicaciones industriales de alta eficiencia como acondicionadores de línea de 110-120 VCA y fuentes de alimentación de 110-120 VCA, así como inversores CC/CA como inversores solares y sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI).
La nueva gama de MOSFET de potencia ofrece una Rds(on) ultrabaja para mejorar la eficiencia del sistema y puede ayudar a los diseñadores a reducir el número de componentes cuando se utilizan varios MOSFET en paralelo.
Los nuevos dispositivos, que están homologados para la industria y presentan un nivel 1 de sensibilidad a la humedad (MSL1), se suministran sin plomo y son conformes a RoHS.
Nordic Semiconductor presenta oy el sistema en chip (SoC) nRF54LC10A, compatible con Bluetooth® Low Energy (LE), Bluetooth Channel Sounding, Thread, Zigbee y Matter. El nRF54LC10A, modelo de gama básica, es el SoC multiprotocolo más pequeño y de consumo ultrabajo de la serie nRF54L, que combina...
Mouser Electronics, Inc dispone ya de los nuevos transistores de efecto de campo de nitruro de galio (FET de GaN) GaNEXUS™ de onsemi. Los FET de GaN GaNEXUS utilizan la banda ancha del GaN para suministrar características como una rápida conmutación y una carga reducida de salida y puerta, así...
En el diseño de circuitos de comunicación y adquisición de señales con aislamiento galvánico para aplicaciones industriales, la mayoría de los ingenieros todavía recurren a soluciones basadas en componentes discretos: un transceptor de bus RS-485/CAN, un aislador digital y un módulo de...
La demanda de drivers de reloj de baja tensión sigue creciendo debido a la rápida adopción de los nodos avanzados de proceso FinFET utilizados en FPGA y SoC de alto rendimiento, aceleradores de IA y CPU de próxima generación. Los diseñadores de placas de circuito impreso afrontan desafíos cada vez...
Microchip Technology y Marelli anuncian una nueva solución que permite transmitir el contenido de gráficos y vídeo generado por el ordenador central del vehículo directamente a las pantallas del automóvil a través de ASA Motion Link (ASA-ML), un estándar abierto para conectividad de vídeo en...
Nanopower Semiconductor ha anunciado el nPZ2100, la última incorporación a su plataforma de circuitos integrados de ahorro energético (PSIC) nPZero™. Basado en la arquitectura nPZero, el nPZ2100 permite que los sistemas de sensores con autonomía limitada funcionen con un circuito integrado...
Nuvoton Technology ha anunciado que comenzará en septiembre la producción en serie de los circuitos integrados de monitorización de baterías (BMIC), KA49703A y KA49713A, optimizados para unidades de respaldo de batería (BBU (*1)) utilizadas en servidores de IA.
Mouser Electronics, Inc. ofrece la plataforma IoT Genio 420 de MediaTek, una solución diseñada para dispositivos integrados que necesitan combinar capacidad de procesamiento, conectividad y funciones de inteligencia artificial (IA) y de IA generativa (GenAI) directamente en el dispositivo. El...
ROHM ha desarrollado un dispositivo de oscilación de ondas de terahercios (THz) de 2.ª generación que utiliza elementos semiconductores conocidos como diodos de túnel resonante (RTD, por sus siglas en inglés). ROHM pone a disposición este dispositivo a través del kit de evaluación de dispositivos de ondas...
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