También encontrarán aplicaciones en energías renovables, como inversores fotovoltaicos (FV) y convertidores DC-DC bidireccionales, como los utilizados para la carga de vehículos eléctricos (VE).
Los nuevos TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C y TW107N65C se basan en el avanzado proceso de SiC de tercera generación de Toshiba, que optimiza las
estructuras celulares utilizadas en los dispositivos de segunda generación.
Como resultado de este avance, la FoM calculada como el producto de la resistencia de drenaje-fuente (RDS(on)) y la carga de drenaje-puerta (Qg) para representar las pérdidas estáticas y dinámicas ha mejorado en aproximadamente un 80%.
Al igual que los dispositivos anteriores, los nuevos MOSFET de tercera generación incluyen una barrera Schottky de SiC integrada con una baja tensión de avance (VF) de -1,35V (típica) para suprimir la fluctuación de RDS(on), mejorando así la fiabilidad.
Los nuevos dispositivos son capaces de manejar corrientes (ID) de hasta 100A y presentan valores de RDS(on) tan bajos como 15mΩ. Todos los dispositivos se alojan en un encapsulado TO-247 estándar de la industria.
