(An x L x Al), ocupan un 27% menos que el encapsulado D2PAK convencional. Entre sus principales aplicaciones se encuentran fuentes de alimentación para servidores en centros de datos, acondicionadores para energía solar, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y otras aplicaciones industriales.
La gama se ha ampliado con los productos de la serie DTMOS VI, caracterizados por su baja resistencia en conducción a partir de 65mΩ. Además, el encapsulado de 4 patillas ofrece de forma opcional una conexión Kelvin. Esto puede reducir la inductancia parásita de la conexión a la fuente en el encapsulado y mejorar la eficiencia de la conmutación al suprimir la oscilación. Si se compara el TK090N65Z con un dispositivo cuyos valores de tensión y resistencia en conducción sean equivalentes pero en un encapsulado TO-247 sin conexión Kelvin, las pérdidas de conmutación al pasar a conducción son un 68% más bajas en el TK090U65Z, y alrededor de un 56% más bajas en el paso a corte.
Esta nueva generación de MOSFET de potencia de superunión de 650V de la serie DTMOS VI con el encapsulado TOLL ayudará a los ingenieros a reducir el tamaño de sus equipos finales ya mejorar la eficiencia. DTMOS VI tiene como objetivo lograr la máxima eficiencia de conmutación con el mejor factor de mérito (FOM: Rds(on) x Qdg) de su categoría.
Hay más información disponible sobre los cinco productos en los siguientes enlaces:
TK065U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK065U65Z.html
TK090U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK090U65Z.html
TK110U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK110U65Z.html
TK155U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK155U65Z.html
TK190U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK190U65Z.html
