El AUIRFN8459 y el AUIRFN8458 son los primeros dentro de una familia de MOSFET de potencia PQFN dobles de 5x6mm homologados para el automóvil y basados en la tecnología de zanja de 40V COOLiRFET™ más avanzada de IR. El AUIRFN8459 logra una Rds(on) ultrabaja de 5,9mOhm por canal y capacidad para conducir una elevada corriente de 50A.

Los nuevos dispositivos COOLiRFET™ PQFN dobles de 5x6mm también ofrecen una baja ruta térmica a la placa de circuito impreso y una mejora significativa de las prestaciones térmicas si se compara con un encapsulado SO-8 para proporcionar una mayor eficiencia, mejor densidad de potencia y ahorros de coste para todo el sistema.
 
Los MOSFET de IR para el automóvil se someten a pruebas dinámicas y estáticas de promediado de dispositivos así como a la inspección visual automatizada de la oblea al 100% dentro de la iniciativa de IR para la calidad en el automóvil que tiene como objetivo lograr cero defectos. La homologación AEC-Q101 exige que no haya una variación del 20% de Rds(on) tras 1.000 ciclos de pruebas de temperatura.
 
El nuevo dispositivo está homologado según los estándares AEC-Q101 y se caracteriza por una lista de materiales respetuosa con el medio ambiente, sin plomo y conforme a RoHS.

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