Los nuevos dispositivos ofrecen baja resistencia en conducción (RDS(on)) para aplicaciones de carga pesada, incluyendo la dirección asistida (EPS), los sistemas de frenado y otras cargas elevadas en vehículos equipados con motor de combustión interna (ICE) y micro híbridos.
La familia formada por 22 nuevos MOSFETs de canal-N y 40 V con homologación AEC-Q101 incorpora la tecnología “trench” Gen12.7, que ofrece una RDS(on) ultra baja en encapsulados D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK y TO-220. El modelo AUIRFS8409-7P con encapsulado D2Pak-7P cuenta con una RDS(on) máxima de tan solo 0,75 mOhm a 10 Vgs, con una corriente nominal de hasta 240 A. Los nuevos dispositivos ofrecen un bajo nivel de pérdidas de conducción y excelentes prestaciones en caso de avalancha, ofreciendo mayor eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad. Con estas características, muchas aplicaciones que utilizan estos nuevos dispositivos COOLiRFET™ trabajan a temperatura menores que con los MOSFETs más avanzados.
IR busca promover la calidad en la automoción con el objetivo de lograr cero defectos, realizando pruebas dinámicas y estáticas como parte del “Part Average Testing”, así como la inspección visual automatizada a nivel de oblea al 100% de los componentes. Los nuevos dispositivos están homologados con AEC-Q101, que exige que no haya una variación mayor del 20% de RDS(on) después de 1.000 ciclos de temperatura en pruebas. Además, son respetuosos con el medio ambiente y cuentan con una lista de materiales libres de plomo, conforme a RoHS.
