El tiempo de recuperación inversa (Trr) de los HSDs sufren sólo de una mínima influencia térmica, asegurando una rápida conmutación a través de una amplia gama de temperaturas.
El TK5P60W5 (con Id = 4,5a y R_{DS (on)} = 0,99 Ohm) está alojado en el encapsulado más pequeño de la serie, un encapsulado DPAK (A-252), y alcanza un tiempo de recuperación inversa de diodo típico de 65ns. La capacitancia de entrada (C_iss) de 370 pF y un QG de tan sólo 11,5 nC, admiten un funcionamiento de conmutación eficiente.
El nuevo TK62N60W5 (R_{DS (on}): 0,045Ohm) es el MOSFET más grande de la serie, se encuentra en un encapsulado de 3 pines TO-247 y soporta la potencia de salida más elevada de Id = 61,8A. Logra un Trr de diodo típico de 17 0ns, C_iss de 6500 pF y QGof 205 nC.
Los chips DTMOS IV-H se fabrican con tecnología "Deep Trench" de Toshiba que ofrece menor resistencia ON (R_{DS (ON)}) a temperaturas más altas, en comparación con MOSFETs de super unión convencionales. También ofrece pérdidas de conmutación de apagado (E_OSS) reducidas, que las generaciones anteriores de tecnología. La combinación de incrementos más pequeños en R_{DS (ON}) a altas temperaturas y la reducción de Trr de diodo proporciona una mayor eficiencia y ayuda a los diseñadores a minimizar el tamaño del sistema.
Las muestras de ambos dispositivos están actualmente disponibles, con TK62N60W5 ya programado para entrar en producción masiva, y el TK5P60W5 programado para entrar en producción en masa en octubre de 2015.

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