Además, los nuevos dispositivos también ofrecen un rendimiento mejorado tanto en el modo Avalancha como en el modo Lineal, lo que supone una mayor robustez y fiabilidad.
Neil Massey, director de marketing de productos de Nexperia, comenta: "Los nuevos MOSFETs LFPAK88 de 8 x 8 mm combinan la última tecnología de silicio de superjunción de alto rendimiento con nuestra probada tecnología de clip de cobre LFPAK, que es conocida por ofrecer importantes ventajas de rendimiento eléctrico y térmico. La baja RDS resultante nos permite empaquetar más silicio en el encapsulado, mejorando la densidad de potencia y reduciendo la huella del dispositivo".
Con unas dimensiones de sólo 8 x 8 x 1,7 mm, los nuevos MOSFET de potencia también presentan unas características de modo lineal/área de funcionamiento seguro (SOA) líderes en su clase para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente. El SOA en condiciones de funcionamiento de 1 ms y 20 VDS es de 35 A debido a la combinación de silicio y encapsulado, mientras que a 10 ms y 20 VDS, donde domina el encapsulado, el SOA es de 17 A. Estas cifras son entre 1,5 y 2 veces mejores que las de la competencia. Los dispositivos también ofrecen la mejor clasificación de Avalancha de un solo pulso (EAS) con 2,3 J y una clasificación de corriente ID muy fuerte de 500 A, que -a diferencia de algunos dispositivos de la competencia- es un límite medido y no teórico.
Las ventajas de tamaño y rendimiento que ofrecen los MOSFETs LFPAK88 de 8 x 8 mm de Nexperia permiten a los diseñadores sustituir dos componentes antiguos en paralelo por un nuevo LFPAK88, simplificando la fabricación y aumentando la fiabilidad. Las piezas BUK7S0R5-40H, con calificación AEC-Q101, que ofrecen más del doble de fiabilidad que la norma de automoción, son adecuadas para aplicaciones de frenado, dirección asistida, protección de batería inversa, fusibles electrónicos, convertidores CC-CC y control de motores. Los MOSFETs industriales PSMNR55-40SSH son adecuados para el aislamiento de baterías, la limitación de corriente, los fusibles electrónicos, el control de motores, la rectificación sincrónica y las aplicaciones de conmutación de carga en herramientas eléctricas, electrodomésticos, ventiladores y bicicletas eléctricas, scooters y sillas de ruedas.
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- Categoría: Circuitos integrados
MOSFETs Nexperia de baja RDS(on) de 40 V con la mayor densidad de potencia para aplicaciones industriales y de automoción
Nexperia ha anunciado hoy nuevos MOSFETs de potencia de 0,55 mΩ RDS(on) 40 V en el encapsulado LFPAK88 de alta fiabilidad para aplicaciones de automoción (BUK7S0R5-40H) e industriales (PSMNR55-40SSH). Estos dispositivos son los componentes de 40 V con menor RDS(on) que Nexperia ha fabricado nunca y, lo que es más importante, ofrecen densidades de potencia más de 50 veces superiores a las de los dispositivos D2PAK tradicionales.
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