Toshiba Corporation ha ampliado su gama de la serie de IGBT discretos para conmutación robusta de 6.º generación para fines generales e industriales con el agregado del "GT50J342", un producto con paquete TO-3P(N) con clasificaciones de IC = 55A y VCES = 600V. La nueva serie garantiza VCE(sat) = 1,5V (típico) en condiciones de IC = 50A y tsc = 5μs (Tj ≤ 150°C) y es apta para ser usada en inversores y unidades de motor para fines generales.
Aplicaciones: Inversores, unidades de motor para fines generales
Especificaciones principales
1. Baja tensión de saturación: VCE(sat) = 1,5V (típico) @ IC = 50A
2. Alta temperatura de unión: Tj = 175°C
3. Tiempo de corto circuito permitido: tsc = 5μs (Tj ≤ 150°C)
4. Incorpora diodos de recuperación rápida (fast-recovery diodes, FRD)
Papel: 150,00 € (IVA incluido)
Recibirá las 10 ediciones que se publican al año.
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