El dispositivo ofrece una ganancia de potencia (típica) de 18dB a 2675MHz con una eficiencia del 54,1%. El A3G26D055N también presenta impedancias de terminal elevadas y una magnitud del vector de error (EVM) altamente linealizada, lo que lo convierte en una opción óptima para sistema de antena activos MIMO masivos para antenas base 5G. Entre las aplicaciones del transistor NXP A3G26D055N se incluyen el MIMO masivo 5G, W-CDMA y LTE, estaciones base y controladores de macrocélula, etapa final de celdas pequeñas, antenas activas y telecomunicaciones de uso general.

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