(Hochspannungs-Gleichstrom). In diesem Umfeld wurde das Gerät von ROHM als SiC-Netzteilbauelement ausgewählt, das mit den neuesten Stromversorgungssystemen kompatibel ist.
Da GPUs immer leistungsfähigere Technologien liefern und generative KI immer häufiger eingesetzt wird, steigt der Stromverbrauch von Rechenzentren rasant an. Um dieser Herausforderung zu begegnen, konzentriert sich die Branche verstärkt auf HGÜ-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung), um Übertragungsverluste zu reduzieren. In diesen Umgebungen mit hohem Stromverbrauch und hoher Spannung spielen Batteriespeichereinheiten (BBUs) und Kondensatoreinheiten (CUs), die den Stromverbrauch auf Serverrack-Ebene kompensieren, eine zunehmend wichtige Rolle beim Schutz von Systemen und riesigen Datenmengen vor Störungen wie Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen.
Das integrierte Produkt ist der SCT4013DLL, ein 750-V-SiC-MOSFET, der im Netzteil einer ±400-V-Stromarchitektur für KI-Server verbaut ist. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturtoleranz mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C und ermöglicht so einen stabilen Betrieb auch in BBUs, wo die Wärmeentwicklung mit höheren Spannungen und Leistungsdichten zunimmt.
In den neuesten 800-VDC-Leistungsarchitekturen beträgt die Versorgungsspannung für die Batteriebank innerhalb der BBU etwa 560 V. Aus diesem Grund können in diesen Systemen auch die SiC-MOSFETs von ROHM mit einer Nennspannung von 750 V eingesetzt werden.
Die HGÜ-Stromversorgungen für KI-Server der nächsten Generation benötigen Backup-Systeme, die im Fehlerfall hohe Spannungen und Ströme mit minimalen Leistungsverlusten verzögerungsfrei regeln können. Um diese hohen Anforderungen zu erfüllen, werden SiC-Leistungshalbleiter, die hohe Spannungsfestigkeit, geringe Verluste und hohe Temperaturbeständigkeit vereinen, voraussichtlich als Schlüsselkomponenten im Zentrum der Leistungsregelung dienen.
Angesichts des anhaltenden Wachstums der Märkte für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und den Vertrieb von Leistungshalbleitern auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter ausbauen. ROHM wird zudem zu mehr Energieeffizienz und einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem es Lösungen anbietet, die diese Leistungshalbleiter mit analogen integrierten Schaltungen und anderen Technologien kombinieren.
EcoSiC
™ ist eine Marke für Bauelemente auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und erregt im Bereich der Leistungselektronik Aufmerksamkeit, da sie eine Leistungsfähigkeit aufweist, die sogar die von Silizium (Si) übertrifft. ROHM entwickelt eigenständig Technologien, die für die Weiterentwicklung von SiC unerlässlich sind – von der Waferherstellung und den Produktionsprozessen bis hin zu Gehäuse- und Qualitätskontrollverfahren. Gleichzeitig haben wir ein integriertes Produktionssystem im gesamten Fertigungsprozess implementiert und damit unsere Position als führender SiC-Anbieter gefestigt.
EcoSiC™ ist eine Marke oder eingetragene Marke der ROHM Co., Ltd.
Weiterführende Informationen:
ROHM bietet auf seiner Website Informationen zu SiC-Leistungshalbleitern, darunter einen praktischen „Komponentenfinder“ zur Produktauswahl anhand spezifischer Kriterien sowie Designvorlagen zur Vereinfachung von Evaluierung und Implementierung. Nachfolgend finden Sie zugehörige technische Materialien und Ressourcen:
• Anwendungshinweis: Diskrete Gehäuse von SiC-MOSFETs der 4. Generation: Eigenschaften und Vorsichtsmaßnahmen für das Schaltungsdesign
• Anwendungshinweis: Anwendungsvorteile von SiC-MOSFETs der 4. Generation
• Whitepaper: ROHMs 800-VDC-Architekturlösungen für KI-Server
• Sonderdialog: Verschärfte Anforderungen an die Stromversorgung von Rechenzentren: Warum setzen Delta und ROHM auf Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ)?
