Die neuen IGBTs erreichen in ihrer Klasse* niedrige Leitungsverluste mit einer VCE(sat) von 1,55 V, bieten gleichzeitig eine hohe Kurzschlusstoleranz und erfüllen den Automobilzuverlässigkeitsstandard AEC-Q101.
Mit der Entwicklung hin zu höheren Spannungen bei Elektrofahrzeugen findet Siliziumkarbid (SiC) zunehmend Anwendung in Hochleistungsanwendungen wie Traktionswechselrichtern. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs häufig als Schaltelemente in Hilfssystemen mit geringerer Leistung eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren in Kraftfahrzeugen und Hochspannungsheizungen. Silizium-IGBTs finden auch breite Anwendung in Industrieanlagen, insbesondere in Motoren und Kompressoren, und die Nachfrage dürfte weiter steigen.
Diese Anwendungen erfordern höhere Energieeinsparungen und kompaktere Gerätekonstruktionen, wodurch eine starke Nachfrage nach Leistungselektronik entsteht, die eine höhere Zuverlässigkeit, kleinere Abmessungen und einen höheren Wirkungsgrad bietet. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise benötigen eine ausreichende Kurzschlussfestigkeit, um die Zeit zu überbrücken, die zum Erkennen und Unterbrechen des Überstroms während eines Kurzschlusses erforderlich ist.
Als Reaktion auf diese Marktanforderungen hat ROHM die Gerätestruktur, einschließlich des Fertigungsprozesses und des Designs der Randanschlüsse, überarbeitet, um IGBTs der 4. Generation zu entwickeln, die geringe Verluste mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren und gleichzeitig höhere Spannungsanforderungen erfüllen. Durch die Überarbeitung der Gerätestruktur erhöhen die Produkte die Stromdichte bei gleichzeitig reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten. Trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit gewährleisten die Produkte eine verlängerte Kurzschlussfestigkeit von 7 µs bei Tj = 25 °C. Dies trägt zu höherer Effizienz und gesteigerter Zuverlässigkeit in Anwendungen bei.
Das Sortiment umfasst zwölf Produkte im TO-247N-Gehäuse ( RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR) sowie zehn Produkte auf ungekapselten Wafern ( Serie SG83xxWN). ROHM entwickelt außerdem zwölf Produkte im TO-247-4L-Gehäuse (Serie RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR). Modelle und Materialien für die Schaltungsentwicklung stehen auf der offiziellen ROHM-Website zum Download bereit.
Produkte im TO-247N-Gehäuse sowie eine Auswahl an unverkapselten Waferprodukten sind ab sofort erhältlich. Produkte im TO-247N-Gehäuse können online über Distributoren wie DigiKey und Farnell bezogen werden.
ROHM plant, sein Produktportfolio zukünftig mit den gleichen Gehäusen weiter auszubauen und kompakte SMD-IGBTs im TO-263L-Gehäuse sowie Top-Cooled-Gehäuse (TSC) zu entwickeln. ROHM wird sein Angebot an Hochleistungs-IGBTs kontinuierlich erweitern und so zu einer höheren Antriebseffizienz und Miniaturisierung in Industrie- und Automobilanwendungen beitragen.
Produktpalette:
Diskrete Produkte
Unverkapselte Waferprodukte
Anwendungsbeispiele
• Elektrische Kompressoren für Automobilanwendungen
• Hochspannungsheizungen für Automobilanwendungen (CTP-Heizungen, Kühlmittelheizungen)
• Wechselrichter für Industrieanlagen
Supportinformationen:
Auf der offiziellen ROHM-Website finden Sie SPICE-Modelle, die die elektrischen Eigenschaften der Produkte in Simulationen präzise abbilden, PLECS-Modelle für die Simulation elektrischer Schaltungen sowie weitere Materialien für die Schaltungsentwicklung. Weitere Informationen finden Sie auf derProduktseite „IGBT Field Stop Trench“.
EcoIGBT™
ist die IGBT-Marke von ROHM und umfasst sowohl Bauelemente als auch Module, die speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurden. ROHM entwickelt eigenständig Technologien, die für die Weiterentwicklung von Leistungshalbleitern unerlässlich sind – von der Waferfertigung und den Produktionsprozessen bis hin zu Gehäuse- und Qualitätskontrollverfahren. Gleichzeitig haben wir ein integriertes Produktionssystem im gesamten Fertigungsprozess implementiert und damit unsere Position als führender Anbieter von Leistungshalbleitern gefestigt.
