Die neuen Bauelemente eignen sich ideal für den Einsatz in Küchen, werden im TO-3 (N)-Gehäuse (entspricht TO247) geliefert und bieten eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Der maximale Nennstrom beträgt bei beiden Bauelementen 50 A. Die typische Sättigungsspannung (bei einem Nennstrom von 50 A) liegt bei 1,5 V für den GT50JR21 und bei 1,65 V für den GT50JR22.
Die IGBTs GT50JR21 und GT50JR22 von Toshiba basieren auf der verbesserten Halbleitertechnologie des Unternehmens und sind für sehr schnelles Schalten optimiert. Ihre typischen Einschaltzeiten (t<sub>on</sub>) und Ausschaltzeiten (t<sub>off</sub>) bei einem Kollektorstrom von 50 A betragen 0,26 ms bzw. 0,31 ms und 0,25 ms bzw. 0,37 ms. Daher eignet sich der GT50JR21 für Schaltvorgänge mit niedrigen Frequenzen, während der GT50JR22 für Schaltvorgänge mit höheren Frequenzen geeignet ist.
Die Wärmeabgabe des Kollektors beträgt für jeden IGBT 230 W bei 25ºC.
