Diese in Standard-TO-247-Gehäusen erhältlichen Bauelemente bieten erstklassige Leistung für industrielle Anwendungen und Energiesparanwendungen.
Die neuen Gen8-Bauelemente sind für Ströme von 8 A bis 60 A mit einer typischen VCE(ON) von 1,7 V und einer Kurzschlussansprechzeit von 10 µs verfügbar, um die Verlustleistung zu reduzieren. Dies führt zu einer höheren Leistungsdichte und überlegenen Robustheit.
Die neue Technologie sorgt für ein sanfteres Einschaltverhalten bei Motorantrieben, indem sie dv/dt minimiert, um elektromagnetische Störungen und Überspannungen zu reduzieren und gleichzeitig Zuverlässigkeit und Robustheit zu erhöhen. Die präzise Parameterverteilung ermöglicht eine optimale Stromverteilung bei Parallelschaltung mehrerer IGBTs. Die Dünnwafer-Technologie verbessert den Wärmewiderstand, und die maximale Sperrschichttemperatur erreicht 175 °C.
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- Kategorie: Integrierte Schaltungen
1200V Gen8 IGBT in Standard-TO-247-Gehäusen
International Rectifier stellt eine neue Generation von IGBT-Technologieplattformen (Insulated Gate Bipolar Transistor) vor. Die 1200-V-IGBT-Plattform der 8. Generation (Gen8) nutzt die neueste Trench-Gate-Feldstopp-Technologie von IR
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