Die neuen Bauelemente nutzen die ultradünne Wafer-Feldstopptechnologie von IR, wodurch Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden. Sie werden im selben Gehäuse mit einer Soft-Recovery-Diode mit niedrigem Qrr-Wert geliefert und zeichnen sich durch eine minimale Kurzschlusszeit von 10 µs aus. Dadurch sind sie für robuste Industrieanwendungen optimiert.
Diese neuen 1200-V-Trench-IGBTs bieten eine sehr niedrige Vce(on)-Spannung und deutlich reduzierte Schaltverluste sowie eine höhere Systemeffizienz und ein verbessertes Einschwingverhalten für erhöhte Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sie sich ideal für anspruchsvolle Industrieumgebungen.
Die gekapselten Bauelemente decken einen breiten Strombereich von 10–50 A ab. Weitere wichtige Vorteile sind eine maximale Tjmax von 150 °C, ein positiver Temperaturkoeffizient der Vce(on)-Spannung zur Erleichterung der Parallelschaltung und eine niedrigere Vce(on)-Spannung zur Reduzierung der Verlustleistung und Erzielung einer höheren Leistungsdichte. Ungekapselte Produkte sind ebenfalls erhältlich.
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- Kategorie: Integrierte Schaltungen
1200-V-IR-IGBTs mit höherer Leistungsdichte und Effizienz in Motorantriebs- und USV-Anwendungen
International Rectifier hat eine Familie ultraschneller und robuster 1200V IGBT-Transistoren (Insulated-Gate Bipolar Transistors) vorgestellt, die für industrielle Motorantriebssysteme und USV-Anlagen optimiert sind.
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