Dieses kompakte Gehäuse (14 mm x 18,5 mm) vereint die Vorteile der SMD-Bestückung mit der Kühlleistung der Durchsteckmontage und gewährleistet so eine optimale Wärmeableitung. Die Markteinführung dieses Produkts trägt der steigenden Nachfrage nach einer Vielzahl von leistungsstarken (industriellen) diskreten SiC-MOSFET-Anwendungen Rechnung, die dank überlegener Kühlung eine herausragende thermische Performance bieten. Diese Schalter eignen sich ideal für industrielle Anwendungen wie Batteriespeichersysteme (BESS), Photovoltaik-Wechselrichter, Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Sie sind außerdem bestens geeignet für die Ladeinfrastruktur von Elektrofahrzeugen, einschließlich Ladestationen.
Das X.PAK-Gehäuse verbessert die thermische Leistung der SiC-MOSFETs von Nexperia zusätzlich, indem es die negativen Auswirkungen der Wärmeableitung über die Leiterplatte reduziert. Darüber hinaus ermöglicht das X.PAK-Gehäuse von Nexperia eine geringe Induktivität für oberflächenmontierte Bauteile und unterstützt die automatisierte Leiterplattenbestückung.
Die neuen, im X.PAK-Gehäuse untergebrachten Bauelemente bieten die besten Leistungskennzahlen (FoM), die Nexperia SiC-MOSFETs je erreicht haben. Der RDS(on)-Wert ist dabei aufgrund seines Einflusses auf die Leitungsverluste ein besonders wichtiger Parameter. Viele Hersteller konzentrieren sich jedoch auf den Nennwert dieses Parameters und vernachlässigen die Tatsache, dass er mit steigender Betriebstemperatur um mehr als 100 % zunehmen kann, was zu erheblichen Leitungsverlusten führt. Nexperia SiC-MOSFETs hingegen bieten eine branchenführende Temperaturstabilität mit einem nominalen RDS(on)-Wert, der im Betriebstemperaturbereich von 25 °C bis 175 °C lediglich um 38 % ansteigt.
„Die Einführung unserer SiC-MOSFETs im X.PAK-Gehäuse stellt einen bedeutenden Fortschritt im Wärmemanagement und der Leistungsdichte für Hochleistungsanwendungen dar“, so Katrin Feurle, Senior Director und Leiterin des Bereichs Diskrete SiC-Module und -Komponenten bei Nexperia. „Diese neue, von oben gekühlte Produktoption baut auf unseren erfolgreichen Markteinführungen diskreter SiC-MOSFETs in TO-247- und SMD-D2PAK-7-Gehäusen auf. Sie unterstreicht Nexperias Engagement, unseren Kunden ein hochmodernes und flexibles Portfolio anzubieten, um ihren sich wandelnden Designanforderungen gerecht zu werden.“.
Das anfängliche Portfolio umfasst Produkte mit RDS(on)-Werten von 30, 40 und 60 mΩ (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0), und ein Produkt mit 17 mΩ wird im April 2025 auf den Markt kommen. Später im Jahr 2025 wird ein Portfolio von Automotive-SiC-MOSFETs in X.PAK-Gehäusen sowie weitere RDS(on)-Klassen wie z. B. 80 mΩ eingeführt.
