HF-Schalt-ICs, die im neuen TaRF8-Verfahren als SP12T-Prozess [1] , erreichen die branchenweit niedrigste Einfügungsdämpfung [2] ihrer Klasse [3] . Die Auslieferung von SP12T-HF-Schalt-IC-Mustern, die im neuen Verfahren hergestellt werden, beginnt im Januar 2016.
Der für Smartphones entwickelte HF-Schalt-IC SP12T verfügt über einen integrierten MIPI-RFFE-Controller [4] für mobile Anwendungen. Das Bauteil eignet sich für Geräte, die den 3GPP-Standards GSM, UMTS, W-CDMA, LTE und LTE-Advanced entsprechen [5].
Produkte, die den neuen TaRF8 SOI CMOS- [6] , erreichen mit 0,32 dB bei 2,7 GHz die branchenweit niedrigste Einfügungsdämpfung ihrer Klasse. Im Vergleich zu Produkten mit Toshibas aktuellem TaRF6-Prozess verbessert sich die Einfügungsdämpfung um 0,1 dB bei gleichbleibenden Verzerrungseigenschaften.
Der Trend zu Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen in der Mobilkommunikation erfordert aufgrund der hohen Übertragungskapazität und der in Mobilgeräten und Smartphones verwendeten integrierten HF-Schaltkreise die Unterstützung mehrerer Ports und eine verbesserte HF-Leistung. Die Reduzierung der Einfügungsdämpfung ist dabei ein besonders wichtiger Faktor, da sie die HF-Sendeleistungsverluste verringert und somit zu einer längeren Akkulaufzeit von Mobilgeräten beiträgt.
Toshiba entwickelt leistungsstarke HF-Schalt-ICs in eigener Fertigung unter Anwendung der SOI-CMOS-Technologie, die sich sowohl für die Integration analoger als auch digitaler Schaltungen eignet. Durch die Kontrolle aller Aspekte des Produktionsprozesses – von der Entwicklung der HF-Prozesstechnologie bis hin zum Design und der Fertigung der HF-Schaltchips – kann Toshiba seine SOI-CMOS-Prozesstechnologie basierend auf dem Feedback aus der Entwicklung eigener HF-Schalt-ICs schnell verbessern. Dieser Ansatz als integrierter Gerätehersteller (IDM) ermöglicht es Toshiba, neue, auf aktuelle Produkte zugeschnittene Prozesstechnologien rasch zu etablieren und mit Produkten, die mit modernster Prozesstechnologie gefertigt werden, auf den Markt zu kommen.
Toshiba wird die Leistung seiner TarfSOI-Prozesstechnologie weiter verbessern und die Kunden- und Marktbedürfnisse im Bereich integrierter HF-Schaltkreise erfüllen, indem es Technologieprodukte der nächsten Generation vor anderen Herstellern auf den Markt bringt.
Anmerkungen:
[1] Unipolarer 12-Wege-Schalter
[2] Markt für HF-Schalt-ICs (Stand: 20. November 2015). Toshiba-Umfrage.
[3] Leistungsverlust bei der Übertragung eines HF-Signals durch den Schalter, angegeben in Dezibel (dB).
[4] Spezifikation einer seriellen Busschnittstelle zur Steuerung von HF-Komponenten für Mobilgeräte, standardisiert von der Frontend RF (RFFE) Arbeitsgruppe der MIPI (Mobile Industry Processor Interface) Alliance.
[5] Mobilfunkstandards, spezifiziert vom 3GPP (3rd Generation Partnership Project).
[6] Technologie zur Reduzierung der parasitären Kapazität durch Verwendung einer Isolierschicht unter dem MOSFET-Kanal. SOI: Silizium-auf-Isolator
* TarfSOI ist eine Marke der Toshiba Corporation.
