Das neue Bauelement eignet sich für ein breites Anwendungsspektrum, beispielsweise für Schaltnetzteile in Industrieanlagen, einschließlich Anwendungen in Kommunikationsbasisstationen und Rechenzentren.

Der neue MOSFET TPH9R00CQH zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von nur 9,0 mΩ (max. bei VGS = 10 V) aus. Dies entspricht einer Reduzierung von ca. 42 % gegenüber dem bestehenden 150-V-Produkt (TPH1500CNH), das auf dem U-MOSVIII-H-Prozess der aktuellen Generation basiert. Wichtige Leistungskennzahlen (FoM), darunter RDS(ON) × QSW und RDS(ON) × QOSS, wurden um ca. 20 % bzw. 28 % reduziert, wodurch die Leistung verbessert wurde.

Durch sorgfältige Optimierung der Bauelementstruktur wurden die Lastcharakteristika optimiert. Mit einer Gesamtgateladung (Qg) von nur 44 nC und einer Gate-Schaltladung (QSW) von 11,7 nC bietet das Bauelement eine hervorragende Performance, insbesondere in Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

Der neue TPH9R00CQH ist in zwei SMD-Gehäusevarianten erhältlich: SOP Advance (5,0 mm × 6,0 mm) und SOP Advance(N) (4,9 mm × 6,1 mm). Die Auswahl des passenden Gehäuses ist für jede Anwendung möglich.

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