Microchip Technology Inc. hat die Erweiterung seines SiC-Portfolios mit der Einführung von 3,3-kV-SiC-MOSFETs mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand [RDS(on)] und SiC-Schottky-Barrieredioden (SBDs) mit der höchsten Strombelastbarkeit auf dem Markt bekannt gegeben. Entwickler können so deren Robustheit, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit optimal nutzen. Mit diesem erweiterten SiC-Portfolio stehen Microchip-Entwicklern die Werkzeuge zur Verfügung, um kleinere, leichtere und effizientere Lösungen für Elektromobilität, erneuerbare Energien, Luft- und Raumfahrt sowie industrielle Anwendungen zu entwickeln.
Viele siliziumbasierte Designs haben hinsichtlich maximaler Effizienz, Systemkostenreduzierung und Anwendungsinnovation ihre Grenzen erreicht. Hochvolt-SiC ist zwar eine bewährte Alternative, um diese Ergebnisse zu erzielen, die Verfügbarkeit von 3,3-kV-SiC-Leistungshalbleitern war jedoch bisher begrenzt. Die 3,3 kV MOSFETs und SBDs von Microchip ergänzen den umfassenden Katalog an SiC-Lösungen des Unternehmens, der aus ungekapselten, diskreten Bauelementen, Modulen und digitalen Gate-Treibern für 700 V, 1200 V und 1700 V besteht.
Die 3,3-kV-SiC-Leistungshalbleiter von Microchip umfassen MOSFETs mit einem RDS(on) von 25 mΩ – dem niedrigsten Wert am Markt – und SBDs mit einer Strombelastbarkeit von 90 A – dem höchsten Wert am Markt. MOSFETs und SBDs sind sowohl mit als auch ohne Gehäuse erhältlich. Diese neuen Leistungsniveaus ermöglichen es Entwicklern, ihre Designs zu vereinfachen, leistungsstärkere Systeme zu realisieren und mit weniger parallel geschalteten Bauteilen kleinere, leichtere und effizientere Stromversorgungslösungen zu realisieren.
„Wir konzentrieren uns auf Entwicklungen, die es unseren Kunden ermöglichen, Innovationen schnell in ihre Systeme zu integrieren und den Wettbewerbsvorteil ihrer Endprodukte rascher auszubauen“, so Leon Gross, Vice President der Discrete Products Business Unit von Microchip. „Unsere neue Produktfamilie von 3,3-kV-SiC-Leistungshalbleitern ermöglicht es Kunden, die Hochvolt-SiC-Technologie einfach, schnell und sicher einzusetzen und die zahlreichen Vorteile dieser zukunftsweisenden Technologie gegenüber siliziumbasierten Designs zu nutzen.“
Microchip hat die Produktion hunderter SiC-Leistungshalbleiter und -Lösungen für die nächsten drei Jahre angekündigt. So finden Entwickler die optimale Kombination aus Spannung, Stromstärke und Gehäuse für ihre Anwendungen. Alle SiC-MOSFETs und SBDs von Microchip sind auf höchste Kundenzufriedenheit ausgelegt und bieten maximale Robustheit und Zuverlässigkeit. Die Produkte des Unternehmens entsprechen kundenspezifischen Obsoleszenzrichtlinien. Dadurch wird die Produktion so lange sichergestellt, wie Bedarf besteht und Microchip die Fertigung gewährleisten kann.
Kunden können die SiC-Produkte von Microchip mit anderen Microchip-Bausteinen kombinieren, z. B. mit 8-, 16- und 32-Bit-Mikrocontrollern, Energiemanagement-Bausteinen, analogen Sensoren, Touch- und Gestensteuerungen sowie Lösungen für drahtlose Verbindungen. So entstehen Komplettsysteme mit geringeren Gesamtbetriebskosten.
Entwicklungswerkzeuge:
Das erweiterte Portfolio an SiC-Bausteinen wird durch eine Reihe von SPICE-Modellen für SiC unterstützt, die mit den MPLAB® Mindi™ Analogsimulationsmodulen und den Microchip-Referenzdesigns für Steuerplatinen kompatibel sind. Das Intelligent Configuration Tool (ICT) ermöglicht es Entwicklern, effiziente SiC-Gate-Treibermodelle für die AgileSwitch®-Familie konfigurierbarer digitaler Gate-Treiber von Microchip zu erstellen.
Verfügbarkeit:
Serienfertige Bestellungen für diese ungekapselten, diskreten 3,3-kV-SiC-Bauelemente werden ab sofort entgegengenommen. Sie sind in verschiedenen Gehäusevarianten erhältlich.
