Nexperia gibt die Serienverfügbarkeit seiner 650-V-GaN-FET-Familie der zweiten Generation bekannt. Diese bietet deutliche Leistungsvorteile gegenüber Vorgängertechnologien und Konkurrenzprodukten. Mit einem typischen RDS(on)-Wert von bis zu 35 mΩ eignen sich die neuen GaN-FETs ideal für einphasige AC/DC- und DC/DC-Schaltnetzteile (SMPS) im Industriebereich von 2 kW bis 10 kW, insbesondere für Server- und Telekommunikationsnetzteile, die den 80 PLUS® Titanium-Effizienzstandard erfüllen müssen. Die Bauelemente sind auch für Solarwechselrichter und Servoantriebe im gleichen Leistungsbereich bestens geeignet.
Die neuen 650-V-H2-GaN-FETs sind im TO-247-Gehäuse erhältlich und bieten eine um 36 % reduzierte Größe bei gleichem RDS(on)-Wert, was Stabilität und Effizienz verbessert.

Die Kaskadenkonfiguration macht komplexe Treiber überflüssig und beschleunigt so die Markteinführung. Die Bauelemente bieten herausragende Leistung sowohl im Hard- als auch im Soft-Switching-Betrieb und damit maximale Flexibilität für Entwickler.
Dilder Chowdhury, Strategic Marketing Director für GaN bei Nexperia, erklärt: „Titan stellt die höchsten Anforderungen der 80 PLUS®-Spezifikationen und erfordert einen Wirkungsgrad von >91 % unter Volllast (>96 % bei 50 % Last). Dieses Leistungsniveau in Serveranwendungen mit einer Leistung von 2 kW und mehr mit herkömmlichen Siliziumkomponenten zu erreichen, ist komplex und anspruchsvoll. Die neuen GaN-Leistungs-FETs von Nexperia eignen sich perfekt für eine elegante, brückenlose Totem-Pole-Konfiguration, die weniger Bauteile benötigt und sowohl die Größe als auch die Kosten reduziert.“
Die GaN-FETs GAN041-650WSB von Nexperia sind ab sofort in großen Stückzahlen verfügbar.

Produktdatenblätter und kurze Lernvideos stehen zur Verfügung.
Entwickler können die GaN-FETs von Nexperia in Aktion erleben, indem sie den Nexperia-Stand auf den PCIM Digital Days vom 3. bis 7. Mai.