(B x L x H) benötigen sie 27 % weniger Platz als herkömmliche D2PAK-Gehäuse. Zu ihren Hauptanwendungen zählen Netzteile für Server in Rechenzentren, Solarstromaufbereiter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen.
Das Sortiment wurde um die Produkte der DTMOS VI-Serie erweitert, die sich durch ihren niedrigen Einschaltwiderstand ab 65 mΩ auszeichnen. Das 4-Pin-Gehäuse bietet zudem eine optionale Kelvin-Anbindung. Diese reduziert die parasitäre Induktivität am Source-Anschluss im Gehäuse und verbessert die Schalteffizienz durch Unterdrückung von Schwingungen. Im Vergleich zu einem Bauteil mit äquivalenten Einschaltwiderstandswerten, jedoch in einem TO-247-Gehäuse ohne Kelvin-Anbindung, sind die Schaltverluste des TK090N65Z beim Einschalten um 68 % und beim Ausschalten um ca. 56 % geringer.
Die neue Generation von 650-V-Superjunction-Leistungs-MOSFETs der DTMOS VI-Serie im TOLL-Gehäuse ermöglicht es Entwicklern, die Größe ihrer Endgeräte zu reduzieren und die Effizienz zu steigern. DTMOS VI strebt maximale Schalteffizienz mit dem besten Gütefaktor (FOM: Rds(on) x Qdg) seiner Klasse an.
Weitere Informationen zu den fünf Produkten finden Sie unter den folgenden Links:
TK065U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK065U65Z.html
TK090U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK090U65Z.html
TK110U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK110U65Z.html
TK155U65Z – https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK155U65Z.html
TK190U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK190U65Z.html
