ASFETs sind eine neue Klasse von MOSFETs, die für spezifische Anwendungsszenarien optimiert sind. Durch die Fokussierung auf anwendungskritische Parameter, mitunter auf Kosten anderer, weniger wichtiger Parameter im selben Design, lassen sich neue Leistungsniveaus erreichen. Die neuen Hot-Swap-fähigen ASFETs nutzen eine Kombination aus Nexperias neuester Siliziumtechnologie und einem Kupferclip-Gehäuse, um die sichere Betriebsfläche (SOA) deutlich zu vergrößern und den Platzbedarf auf der Leiterplatte zu minimieren.
Bisher litten MOSFETs unter dem Spirito-Effekt, bei dem die SOA-Leistung aufgrund thermischer Instabilität bei höheren Spannungen rapide abfiel. Die robuste, verbesserte SOA-Technologie von Nexperia eliminiert den Spirito-Effekt und erhöht die SOA bei 50 V im Vergleich zu früheren Generationen in D2PAK um 166 %.
Ein weiterer wichtiger Fortschritt ist die Aufnahme der 125°C-SOA-Spezifikation in das Datenblatt. Mike Becker, International Director of Product Marketing bei Nexperia, erklärt: „Herkömmlicherweise wird die SOA nur bei 25°C spezifiziert, was bedeutet, dass Entwickler die Leistung für den Betrieb in heißen Umgebungen reduzieren müssen. Unsere neuen Hot-Exchange-ASFETs verfügen über eine 125°C-SOA-Spezifikation, wodurch dieser zeitaufwändige Aufwand entfällt und die hervorragende Leistung von Nexperia auch bei erhöhten Temperaturen bestätigt wird.“
Die neuen Hot-Swap-fähigen ASFETs PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) und PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) sind im Power-SO8-konformen LFPAK56E-Gehäuse erhältlich. Die einzigartige interne Kupferklemmkonstruktion des Gehäuses verbessert die thermische und elektrische Leistung und reduziert gleichzeitig die Baugröße erheblich. Die neuen LFPAK56E-Produkte messen nur 5 mm × 6 mm × 1,1 mm, was einer Reduzierung der Leiterplattenfläche um 80 % und der Bauhöhe um 75 % im Vergleich zu D2PAK-Gehäusen der vorherigen Generation entspricht. Die Bauelemente weisen zudem eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C auf und erfüllen damit die IPC9592-Norm für industrielle Anwendungen und Telekommunikation.
Becker ergänzt: „Ein weiterer Vorteil ist die verbesserte Stromverteilung in Hochleistungsanwendungen, die mehrere parallel geschaltete Hot-Swap-MOSFETs erfordern. Dies erhöht die Zuverlässigkeit und senkt die Systemkosten.“ Nexperia gilt weithin als Marktführer für Hot-Swap-MOSFETs. Mit diesen neuesten ASFETs haben wir die Messlatte erneut höher gelegt.“
Die neuen Hot-Exchange-ASFETs sind die neuesten Bauelemente, die in Nexperias neuer 8-Zoll-Wafer-Produktionsanlage in Manchester, Großbritannien, hergestellt werden und über Kapazitäten für Serienaufträge verfügen.
Weitere Informationen, einschließlich Produktspezifikationen und Datenblätter
Sie können diese neue Technologie auch auf der Power Live-Veranstaltung von Nexperia vom 21. bis 23. September
