Die ersten DirectFET2-Bausteine von IR für die Automobilindustrie sind vollständig bleifrei und bieten im Vergleich zu herkömmlichen Komponenten mit Standard-Kunststoffgehäusen eine geringere Systemgröße und niedrigere Kosten sowie eine höhere Leistung und Effizienz.
„Die AUIRF7739L2 und AUIRF7665S2 vereinen die Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der DirectFET-Gehäusetechnologie mit den hochmodernen Trench-Silizium-Prozessen von IR. Die neuen DirectFET2-Bausteine lassen sich für Fahrzeugplattformen der nächsten Generation optimieren und bieten extrem niedrigen Widerstand (RDS(on)), niedrige Gate-Last (Qg) oder Logikpegelbetrieb. Dadurch werden eine deutlich verbesserte Leistung und Effizienz sowie eine Reduzierung der Systemgröße und der Bauteilanzahl erreicht“, so Benjamin Jackson, Produktmanager der Geschäftseinheit Automotive Products.
Der AUIRF7739L2 im neuen Großgehäuse bietet den niedrigsten RDS(on)-Wert von 0,7 mW (typisch) bei 40 V für eine gegebene Leiterplattenfläche. Darüber hinaus ist sein Großgehäuse 60 % kleiner und 85 % flacher als ein D2PAK-Gehäuse. Das Bauteil zeichnet sich durch außergewöhnliche Leistungsdichte und Effizienz aus und eignet sich daher ideal für Anwendungen mit hoher Motorlast, darunter elektrische Servolenkungen (EPS), Batterieschalter und integrierte Startergeneratoren (ISA) in Mikrohybridfahrzeugen sowie Fahrwerks-, Lenkungs- und Kraftübertragungssysteme.
Der kompakte AUIRF7665S2 ist für sehr geringe Gate-Lasten optimiert und zeichnet sich durch extrem niedrige parasitäre Elemente für schnelles und effizientes Schalten aus. Der DirectFET2-MOSFET eignet sich ideal für Schaltanwendungen in der Automobilindustrie, wie beispielsweise die Ausgangsstufe von Class-D-Audioverstärkern, sowie für DC/DC-Wandler und Kraftstoffeinspritzsysteme.
Beide Bauteile sind AEC-Q101-zertifiziert, bestehen aus umweltfreundlichen, bleifreien und RoHS-konformen Materialien und sind Teil der Zero-Defect-Qualitätsinitiative von IR für die Automobilindustrie.
