Die neuen Geräte bieten einen niedrigen Antriebswiderstand (RDS(on)) für Anwendungen mit hoher Last, einschließlich Servolenkung (EPS), Bremssystemen und anderen hohen Lasten in Fahrzeugen mit Verbrennungsmotoren (ICE) und Mikrohybriden.
Die Familie der 22 neuen 40-V-N-Kanal-MOSFETs (AEC-Q101-zertifiziert) nutzt die Gen12.7-Trench-Technologie und bietet extrem niedrige RDS(on)-Werte in den Gehäusen D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK und TO-220. Das Modell AUIRFS8409-7P im D2Pak-7P-Gehäuse zeichnet sich durch einen maximalen RDS(on)-Wert von nur 0,75 mΩ bei 10 Vgs und einen Nennstrom von bis zu 240 A aus. Diese neuen Bauelemente bieten geringe Leitungsverluste und ein hervorragendes Lawinenverhalten und sorgen so für höhere Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Dank dieser Eigenschaften können viele Anwendungen mit diesen neuen COOLiRFET™-Bauelementen bei niedrigeren Temperaturen als mit fortschrittlicheren MOSFETs betrieben werden.
IR hat sich zum Ziel gesetzt, die Qualität in der Automobilindustrie zu fördern und eine fehlerfreie Produktion zu erreichen. Dies wird durch dynamische und statische Tests im Rahmen der Bauteilmittelwertprüfung sowie durch eine automatisierte visuelle Inspektion aller Komponenten auf Wafer-Ebene erreicht. Die neuen Bauelemente sind nach AEC-Q101 zertifiziert, was eine maximale Abweichung des RDS(on) von 20 % nach 1.000 Temperaturzyklen im Test vorschreibt. Darüber hinaus sind sie umweltfreundlich und bestehen aus bleifreien Materialien, die den RoHS-Richtlinien entsprechen.
