Dies gilt insbesondere für Bauelemente, die in Traktionswechselrichtern, Batteriemanagementsystemen und Anschlusskästen für Elektrofahrzeuge mit integrierten Startergeneratoren (ISGs) eingesetzt werden.
Die neuen 80-V- Bauelemente XPQR8308QB und 100-V-Bauelemente XPQ1R00AQB basieren auf Toshibas neuem U-MOS-XH-Prozess. Dies ermöglicht niedrige Widerstandswerte (RDS(ON)), da der XPQR8308QB unter 0,83 mΩ und der XPQ1R00AQB unter 1,03 mΩ liegt. Die Bauelemente sind für Dauerströme (ID) von 350 A (XPQR8308QB) bzw. 300 A (XPQ1R00AQB) und Impulsströme (IDP) von 1050 A bzw. 900 A ausgelegt.
Der MOSFET-Chip ist thermisch und elektrisch mittels Klemmen mit den Gehäuseanschlüssen verbunden. Dadurch werden der Gehäusewiderstand um ca. 70 % und die thermische Kanal-Gehäuse-Impedanz (Zth(ch-c)) um 50 % im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse reduziert. Das Verfahren und die Klemmen minimieren Verluste und Wärmeentwicklung und ergeben so eine sehr thermisch effiziente Lösung
. Das L-TOGL-Gehäuse verwendet Flügelklemmen, die die Montagespannung reduzieren und die Zuverlässigkeit der Lötverbindungen verbessern. Dies trägt zur Gewährleistung der Zuverlässigkeit des Steuergeräts in Automobilanwendungen mit anspruchsvollen Temperaturbedingungen bei. Beide Bauteile sind nach AEC-Q101 für Automobilanwendungen zertifiziert.
MOSFETs werden häufig parallel geschaltet, um die Strombelastbarkeit zu erhöhen, insbesondere in Automobilanwendungen. Für einen effizienten Betrieb müssen die MOSFET-Spezifikationen genau übereinstimmen. Daher bietet Toshiba Lieferungen von Bauteilgruppen mit einer Toleranz von 0,4 V basierend auf ihrer Gate-Schwellenspannung an.
Toshiba bietet nun vier MOSFETs im innovativen L-TOGL-Gehäuse an, darunter die beiden bereits erhältlichen 40-V-Produkte XPQ1R004PB und XPQR3004PB sowie die heute angekündigten Produkte. Toshiba bietet Produkte, die sich für Automobilanwendungen eignen, die zunehmend hohe Ströme, hohe Leistungsdichte und hervorragende Robustheit erfordern.