Mit den GaNEXUS GaN-FETs von onsemi, erhältlich bei Mouser, lassen sich höhere Betriebsfrequenzen und eine größere Leistungsdichte erzielen. Darüber hinaus trägt ihr Einsatz dazu bei, die Anzahl magnetischer Bauteile in Leistungswandlungsanwendungen über niedrige, mittlere, hohe und ultrahohe Spannungsbereiche hinweg zu reduzieren. Diese GaN-HEMTs (High-Electron-Mobility Transistors) im Anreicherungsmodus bieten einen Spannungsbereich von 40 bis 650 V, einschließlich der intelligenten GaNEXUS 650 V GaN-FETs mit integriertem Schutz für verbesserte Zuverlässigkeit und vereinfachte Systemintegration. GaNEXUS-Lösungen wurden entwickelt, um die Leistungswandlung und das Leistungsmanagement in modernen Stromversorgungssystemen zu optimieren, komplexe Designs zu vereinfachen, die Qualifizierung und Entwicklung zu beschleunigen, den Wärme- und Kühlbedarf zu reduzieren und die Leistung entlang der gesamten Stromversorgungskette zu optimieren.
In Nieder- und Mittelspannungssystemen – wie KI-Servern, 48-V-Zwischenkreisumrichtern (IBCs), Notstromaggregaten (BBUs) und Motorsteuerungen – ermöglicht der Einsatz von GaNEXUS die Verkleinerung magnetischer Bauteile, bietet eine höhere Leistungsdichte, verbessert Wirkungsgrad, thermische Leistung und Regelungsstabilität und reduziert Schaltverluste. In Hochspannungsanwendungen – wie KI-Leistungsmodulen, Hochspannungs-DC/DC-Wandlern, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und LLC-Leistungsstufen – ermöglicht der Einsatz von GaNEXUS eine Reduzierung der Größe magnetischer Bauteile um bis zu 60 % in Resonanz- und Hochfrequenz-AC/DC-Stufen, erhöht die Leistungsdichte in PFC-, LLC- und Hochspannungs-DC/DC-Architekturen und senkt die thermischen und Betriebskosten.
