Der AUIRB24427S liefert einen sehr hohen Ausgangsstrom von über 6 A pro Kanal über den gesamten Temperaturbereich und ist für die Ansteuerung großer IGBT- und MOSFET-Gates in diskreten Modulen oder Gehäusen konzipiert. Dank seiner extrem niedrigen Ausgangsimpedanz im Ein- und Aus-Zustand sind die Leistungsverluste ebenfalls sehr gering. Dies ermöglicht den Betrieb in rauen Umgebungen mit hohen Temperaturen, wie beispielsweise in den Stromversorgungsstufen von Hybridfahrzeugen, sowohl als primärer als auch als sekundärer Treiber.
Der AUIRB24427S ist in einem einfachen PSOIC-8N-Gehäuse erhältlich und zeichnet sich durch eine extrem niedrige Verlustleistung aus. Er löst die Herausforderung der Ansteuerung großer IGBTs und MOSFETs in Schaltnetzteilen und bietet eine kleinere, einfachere und robustere Lösung als derzeit verfügbare diskrete Optionen.
Das thermisch optimierte PSOIC-8N-Gehäuse des AUIRB24427S bietet eine deutlich höhere Wärmeableitung als Standard-SMD-DIL-Gehäuse und ermöglicht so den Betrieb bei wesentlich höheren Umgebungstemperaturen. Darüber hinaus ermöglicht die Rail-to-Rail-Ausgangsstufe mit P-Kanal-MOSFETs auf der High-Side einen geringen internen Spannungsabfall und reduziert so die Verlustleistung. Der AUIRB24427S zeichnet sich außerdem durch einen maximalen Ausgangswiderstand von 650 mΩ sowohl im Versorgungs- als auch im Verbrauchsbereich bei 125 °C aus.
Dieses zugelassene Autogerät ist bleifrei und RoHS-konform.
