Andrea Bricconi, Commercial Director bei CGD, erklärt: „Das explosive Wachstum der KI führt zu einem signifikanten Anstieg des Energieverbrauchs. Daher priorisieren Entwickler von Rechenzentrumssystemen den Einsatz von GaN für effiziente Hochleistungslösungen. Die neue Power-GaN-IC-Serie ist ein weiterer Schritt von CGD, um Kunden und Partnern zu helfen, die von den neuesten TDP-Trends (Thermal Design Power) für High-Density-Computing geforderte Leistungsdichte von 100 kW/Rack in Rechenzentren zu erreichen und zu übertreffen.“ Entwickler von Motorsteuerungs-Wechselrichtern setzen auf GaN, um die Wärmeentwicklung zu reduzieren und kleinere, robustere Stromversorgungssysteme zu realisieren. Dies sind nur zwei Beispiele für die Märkte, die CGD mit diesen neuen Hochleistungs-ICeGaN-ICs gezielt anvisiert. Das vereinfachte Gate-Treiber-Design und die reduzierten Systemkosten in Kombination mit fortschrittlichen, leistungsstarken Gehäusen machen die ICs der P2-Serie zur idealen Wahl für diese Anwendungen.
ICeGaN-ICs, die über eine integrierte Miller-Klemme zur Eliminierung von Verlusten bei schnellen Schaltvorgängen und eine 0-V-Abschaltung zur Minimierung von Rückleitungsverlusten verfügen, übertreffen diskrete e-Mode-GaN-ICs und andere bestehende Technologien. Die neuen Gehäuse bieten einen verbesserten Wärmewiderstand von nur 0,28 K/W – vergleichbar mit oder sogar besser als alle derzeit am Markt erhältlichen Produkte. Die Dual-Gate-Pin-Anordnung des doppelseitigen DHDFN-9-1-Gehäuses (Dual Heat-spreader DFN) ermöglicht ein optimales Leiterplattendesign und einfache Parallelschaltung für Skalierbarkeit, sodass Kunden problemlos Anwendungen im Multi-kW-Bereich realisieren können. Die neuen Gehäuse sind zudem auf höhere Produktivität ausgelegt: Benetzbare Kanten vereinfachen die optische Inspektion.
Die neuen ICeGaN-Leistungs-ICs der P2-Serie werden derzeit getestet. Die Familie umfasst vier Bausteine mit RDS(on)-Werten von 25 mΩ und 55 mΩ sowie Nennströmen von 60 A bzw. 27 A. Sie sind in den Gehäusen DHDFN-9-1 und BHDFN-9-1 (DFN mit wärmeleitender Unterseite) mit einer Grundfläche von 10 x 10 mm erhältlich. Wie alle ICeGaN-Produkte von CGD kann auch die P2-Serie mit jedem gängigen MOSFET- oder IGBT-Treiber angesteuert werden.
Zwei Demonstrationsplatinen beinhalten die neuen P2-Geräte: eine Demonstrationsplatine eines dreiphasigen Kfz-Wechselrichters, der in Zusammenarbeit mit dem französischen öffentlichen Forschungs- und Entwicklungsinstitut IFP Energies nouvelles entwickelt wurde, und eine Demonstrationsplatine zur Leistungsfaktorkorrektur eines 3-kW-Totems.
Die neuen P2-Serie ICeGaN GaN Leistungs-ICs und Demonstrationsplatinen wurden auf der PCIM-Messe vom 11. bis 13. Juni 2024 am CGD-Stand Nr. 7643 in der Nürnberger Messe in Nürnberg öffentlich vorgestellt.
