Das SCH2080KE ist das erste SiC-Leistungsmodul, das eine SiC-Schottky-Barriere in einem einzigen Gehäuse integriert. Die Durchlassspannung (VF) wird um 70 % oder mehr reduziert, was zu geringeren Leistungsverlusten und weniger Bauteilen führt.
Die in 1200-V-Wechselrichtern und -Umrichtern üblicherweise verwendeten SiIGBTs verursachen Schaltverluste aufgrund von Restströmen oder der Erholung von der externen FRD. Daher ist ein SiC-Leistungsmodul erforderlich, das mit geringen Schaltverlusten bei hohen Frequenzen arbeitet. Herkömmliche SiC-Leistungsmodule wiesen jedoch Zuverlässigkeitsprobleme auf, darunter eine Verschlechterung der Kennlinien durch Diodenkörperleitung (z. B. erhöhter Einschaltwiderstand, erhöhte Durchlassspannung und Widerstandsverschlechterung) sowie Ausfälle der Gate-Oxidschicht, was eine vollständige Integration unmöglich machte.
ROHM ist es gelungen, diese Probleme zu überwinden, indem Prozesse im Zusammenhang mit Defekten in der Kristall- und Gerätestruktur verbessert und der Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um etwa 30 % reduziert wurde, was zu einer verstärkten Miniaturisierung führte.
ROHM ist es außerdem gelungen, eine SiC-SBD (die zuvor extern montiert werden musste) mithilfe seiner patentierten Montagetechnologie in dasselbe Gehäuse zu integrieren. Dadurch wird die Durchlassspannung minimiert, die bei früheren SiC-Leistungsmoduldioden problematisch war. Infolgedessen reduziert der SCH2080KE die Betriebsverluste um 70 % oder mehr im Vergleich zu den in gängigen Wandlern verwendeten Si-IGBTs. Dies führt nicht nur zu geringeren Schaltverlusten, sondern ermöglicht durch die Unterstützung von Frequenzen über 50 kHz auch die Kompatibilität mit kleineren Peripheriekomponenten.
ROHM bietet außerdem das SCT2080KE an, ein SiC-Leistungsmodul ohne interne SiC-SBD. Sowohl das SCH20801KE als auch das SCT2080KE können kundenspezifisch konfiguriert werden.
