Der 40-V-Transistor AUIRF8736M2, basierend auf der bewährten COOLiRFET™-Siliziumtechnologie von IR, bietet eine 40%ige Verbesserung des Einschaltwiderstands (Rds(on)) gegenüber Vorgängergenerationen und minimiert so die Einschaltverluste. Das DirectFET®2 Medium Can-Leistungsgehäuse mit beidseitiger Kühlung sorgt für hervorragende Wärmeableitung und geringe parasitäre Induktivität.
 
Der AUIRF8736M2 vereint die Leistungsfähigkeit von COOLiRFET™-Silizium mit dem DirectFET®2-Gehäuse und bietet eine 40%ige Verbesserung des Rds(on) bei gleicher Größe oder eine vergleichbare Leistung wie ein Large Can-Bauteil in einem 50% kleineren Gehäuse.
Das Bauteil ist nach AEC-Q101 zertifiziert, seine Materialliste ist umweltfreundlich, bleifrei und RoHS-konform. Es ist Teil der Qualitätsinitiative von IR für die Automobilindustrie mit dem Ziel, fehlerfreie Produkte herzustellen.

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