Dank seines optimierten Gehäusedesigns weist der neue TLP3475W reduzierte parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten auf, wodurch die Einfügungsdämpfung im Frequenzbereich von 20 GHz (typ.) verringert wird. Dies entspricht einer 1,5-fachen Leistungssteigerung gegenüber dem Vorgängermodell TLP3475S.
Der zum Ansteuern der LED benötigte Strom (IFT) beträgt
[fehlender Wert]. Der neue TLP3475W ist in einem WSON4-Gehäuse mit typischen Abmessungen von nur 1,45 mm × 2,0 mm × 0,8 mm untergebracht und zählt damit zu den kleinsten derzeit erhältlichen Fotorelais. Er ist 40 % kleiner als das ultrakompakte S-VSON4T-Gehäuse von Toshiba und eignet sich besonders für Mehrkanal-Designs, bei denen mehrere Bauteile auf einer Platine verbaut werden.
Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen -40 °C und +110 °C, wodurch er sich für industrielle Anwendungen, einschließlich Hochgeschwindigkeitstests in der Halbleiterindustrie, eignet.
- Details
- Kategorie: Integrierte Schaltungen
Fotorelais für Hochfrequenz-Signalumschaltung
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat ein neues Fotorelais auf den Markt gebracht, das die Einfügungsdämpfung und die Leistungsdämpfung von Hochfrequenzsignalen reduziert. Das neue Bauteil ist für den Einsatz in Halbleitertestanwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Speichertestern, Hochgeschwindigkeits-Logiktestern oder Prüfkarten vorgesehen.
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