Die Controller verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Ausgänge (FAULT und Ready), aktive Miller-Klemme, präzise Unterspannungsschutzschalter (UVLOs), Schutz vor Überspannung (DESAT), sanftes Abschalten bei Überspannung (DESAT) sowie separate High- und Low-Controller-Ausgänge (OUTH und OUTL) für eine komfortable Systementwicklung. Die NCx5700x-Serie unterstützt 5-V- und 3,3-V-Eingangssignale und einen weiten Vorspannungsbereich auf der Controllerseite, einschließlich negativer Spannungen. Sie bieten eine galvanische Trennung von >5 kV_RMS (UL1577-konform) und eine Betriebsspannung von >1200 V_ORM. Die NCx5700x-Serie ist im breiten SOIC-16-Gehäuse mit einer garantierten Kriechstrecke von 8 mm zwischen Ein- und Ausgang erhältlich, um die erhöhten Anforderungen an die galvanische Trennung zu erfüllen.

Der NCx57200 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht-isolierten Low-Side-Gate-Treiber (LS) und einem galvanisch getrennten High-Side- (HS) oder Low-Side-Gate-Treiber (LS). Das Bauteil kann zwei IGBTs direkt in Halbbrückenkonfiguration ansteuern. Der isolierte High-Side-Treiber kann über ein separates Netzteil oder per Bootstrap-Ansteuerung über das Low-Side-Netzteil versorgt werden. Die galvanische Trennung des High-Side-Gate-Treibers gewährleistet zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs bis 800 V bei hohen Spannungsanstiegsgeschwindigkeiten (dv/dt). Optimierte Ausgangsstufen reduzieren die IGBT-Verluste. Zu den Merkmalen gehören zwei unabhängige Eingänge mit Totzeit und Verriegelung, präzise asymmetrische Unterspannungsableiter (UVLOs) und kurze, angepasste Laufzeiten. Der NCx57200 arbeitet mit einer Versorgungsspannung (VDD) bzw. einer Sperrspannung (VBS) von bis zu 20 V.

Die galvanisch isolierten Hochstrom-Gate-Treiber von ON Semiconductor machen eine Schutzschaltung am Halbbrückenknoten überflüssig und bieten Flexibilität beim Leiterplattendesign.

Eigenschaften:

Verbessert die Systemeffizienz.
Macht eine Schutzschaltung am Halbbrückenknoten überflüssig und bietet Flexibilität beim Leiterplattendesign.
Erhöht die Sicherheit und Störfestigkeit.
Verhindert Auslösefehler. Gewährleistet
zuverlässigen Betrieb in Hochspannungs- und Schnellschaltanwendungen.
Verhindert unbeabsichtigtes Einschalten beim Systemstart.

Es bietet Designflexibilität durch die Verwendung gängiger und weniger streng regulierter Versorgungsspannungen.
Es verbessert die PWM-Signalqualität. Es
bietet Schutz vor Überlastung und Kurzschluss.
Es verhindert unerwünschte Gate-Drehungen.
Es ist robust in Hochspannungs- und Hochstrom-Schaltanwendungen mit schnellen Anstiegsgeschwindigkeiten.
Die galvanische Trennung trennt die Hoch- und Niederspannungsseite für Sicherheit und Schutz.

Anwendungen

Ventilatoren, Pumpen,
,
Unterhaltungselektronik,
universelle Halbbrücken,
Solarwechselrichter,
Motorsteuerungen,
USV-Anlagen,
industrielle Stromversorgungen

Schweißen,
IH-Küchen
, Haushaltsgeräte, Netzteile
, Server und Workstations,
Industriemotoren,
Gewerbliche HLK-Anlagen,
Netzteile für Rechenzentren und Server

Spezifikationen

Hohe Spitzenstromausgänge von +1,9 A/-2,3 A und +4 A/-6 A.
Zuverlässiger Betrieb für negative Spannungsbalance von Vs bis -800 V.
Galvanisch getrennter High-Side-Leiter (Hs).
Schutz vor Totzeit und Verriegelung.
Gleichtaktunterdrückung (CMTI) bis zu 50 kV/µs.
Sicherer Low-Ausgangszustand ohne VDD/VBS.

Versorgungsspannungsbereich bis 20 VDD/VBS,
kurze Laufzeitverzögerungen durch präzise Anpassung,
DESAT mit sanfter Trennung,
aktive Miller-Klemme und negative Gate-Spannung,
hohe Störfestigkeit und elektromagnetische Verträglichkeit,
galvanische Trennung bis 5 kV

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