Die SCALE-2 IGBT-Gate-Treiber eignen sich zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und Bauelementen auf Basis neuer Materialien wie Siliziumkarbid (SiC), die bei Schaltfrequenzen bis zu 500 kHz arbeiten.
Die SCALE-2 IGBT-Gate-Treiber von Power Integrations basieren jeweils auf einem fortschrittlichen ASIC-Chipsatz, der die volle Funktionalität eines Zweikanal-Gate-Treiberkerns in eine primäre LDI-Chip-Schnittstelle (Logic-to-Driver) und einen sekundären IGD-Chip (Intelligent Gate Driver) integriert. Der hohe Integrationsgrad des ASIC-Chipsatzes ermöglicht eine drastische Reduzierung der Anzahl diskreter Bauteile, was Entwicklern Kosten- und Zuverlässigkeitsvorteile bietet. Die Module sind mit Sperrspannungen von 600 V bis 6500 V und Leistungen von 1 W bis 20 W pro Kanal erhältlich. Um eine optimale Ansteuerung externer N-Kanal-DMOS-Elemente zu gewährleisten, verfügen die Vorstufen jedes Moduls über separate Gate-Widerstände zur unabhängigen Steuerung der Ein-/Ausschaltfunktion.
Jedes Modul bietet Entwicklern Produktflexibilität und Funktionalität durch optimale dynamische Schaltleistung und -genauigkeit. Es gewährleistet hohe Zuverlässigkeit und analoge Leistung bei gleichzeitig reduzierter Größe der digitalen Funktionen, was Kosten und Leistung optimiert. Die Module bieten alle gängigen Steuerungsfunktionen, die für den Betrieb einer Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Industrie, Motorsteuerung, Energieübertragung, Traktion, Solar, Wind und Automobil erforderlich sind.
