Die auf Vishays proprietärer Trench-PT-IGBT-Technologie basierenden Bausteine ​​VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S und VS-GP400TD60S bieten extrem niedrige Kollektor-Emitter-Spannungen von nur 1,10 V und eine Abschaltleistungsaufnahme von lediglich 11 mJ für die Ausgangswechselrichterstufen.
Dank ihrer Trench-PT-IGBT-Bauweise sind diese Bausteine ​​von Vishay Semiconductors kleiner als planare IGBTs und ermöglichen Entwicklern eine höhere Stromdichte und einen geringeren Wärmewiderstand (zwischen Sperrschicht und Gehäuse) ohne Leistungseinbußen. Die niedrige Kollektor-Emitter-Spannung sorgt für extrem geringe Leitungsverluste, während die Abschaltleistungsaufnahme im Vergleich zu Vorgängergenerationen um 50 % reduziert ist. Dies erhöht die Effizienz und die Langzeitstabilität.
Die Halbbrücken-IGBTs VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S und VS-GP400TD60S kombinieren Trench-PT-IGBTs mit antiparallelen HEXFRED®-Dioden und FRED-PT®-Dioden in einem einzigen INT-A-PAK-Gehäuse bzw. einem doppelten INT-A-PAK-Gehäuse mit sehr geringer Bauhöhe von 17 mm. Das Einzelschaltermodul VS-GP250SA60S ist im SOT-227-Gehäuse erhältlich, bietet eine sehr geringe parasitäre Induktivität von typischerweise ≤ 5 nH und ist nach E78996 UL-konform.
Die RoHS-konformen Module arbeiten mit Frequenzen bis zu 1 kHz, Kollektor-Emitter-Spannungen von 600 V und Dauerkollektorströmen von 100 A bis 400 A. Die Bauelemente können direkt auf Kühlkörper montiert werden und zeichnen sich durch geringe elektromagnetische Störungen (EMI) aus.

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