Der Trend zu mehr Funktionalität und ausgefeilteren Funktionen bei Smartphones und anderen Mobilgeräten bei gleichzeitig reduzierter Größe und gleichbleibender oder sogar verlängerter Akkulaufzeit hat die Nachfrage nach ultrakompakten Bauteilen mit minimalem Stromverbrauch erhöht. Dies betrifft insbesondere Schottky-Dioden für Netzteile, bei denen niedrige Spannung (VF) und hoher Gleichstrom unerlässlich sind. Bislang erforderte die Reduzierung von VF und die Erhöhung der Strombelastbarkeit jedoch eine Vergrößerung der Chipgröße, was die Miniaturisierung erschwerte.
Als Reaktion darauf hat ROHM die Stromeffizienz durch eine Diodenneuentwicklung deutlich verbessert und die Vorwärtsspannung (VF) im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um 32 % reduziert. Dies führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer höheren Strombelastbarkeit, wodurch kleinere Gehäuse möglich werden, die den Platzbedarf um bis zu 80 % verringern.
Hauptmerkmale.
1. Hohe Strombelastbarkeit in kompakter Bauform.
Die niedrige Vorwärtsspannung (VF) gewährleistet eine hohe Strombelastbarkeit bei kompakter Größe.
2. Bis zu 80 % weniger Platzbedarf.
Die höhere Strombelastbarkeit ermöglicht kleinere Bauformen und reduziert so den benötigten Platzbedarf erheblich.
Terminologie.
VF (Durchlassspannung):
Die Spannung, die anliegt, wenn Strom in Durchlassrichtung durch die Diode fließt. Je niedriger der Wert, desto geringer die Leistungsaufnahme.
Mittlerer gleichgerichteter Strom (Io)
Der maximale gleichgerichtete Strom, der unter den angegebenen Bedingungen in Vorwärtsrichtung fließen kann.
