Der neue technische Bericht beschreibt detailliert die Leistungsvorteile der branchenführenden 1250-V-PowiGaN-HEMTs von Power Integrations und demonstriert deren bewährte Zuverlässigkeit im Feldeinsatz sowie ihre Fähigkeit, die Anforderungen an Leistungsdichte und Wirkungsgrad (>98 %) der 800-VDC-Architektur zu erfüllen. Darüber hinaus zeigt das Dokument, dass ein einzelner 1250-V-PowiGaN-Schalter eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad bietet als vergleichbare 650-V-GaN-FETs und 1200-V-SiC-Bauelemente.
Der technische Bericht hebt außerdem die integrierten Schaltkreise InnoMux™2-EP von Power Integrations als einzigartige Lösung für Hilfsstromversorgungen in 800-VDC-Rechenzentren hervor. Der im InnoMux-2 integrierte 1700-V-PowiGaN-Schalter unterstützt eine Eingangsspannung von 1000 VDC, während sein SR-ZVS-Betrieb einen Wirkungsgrad von über 90,3 % des 12-V-Systems in einer flüssigkeitsgekühlten, lüfterlosen 800-VDC-Architektur ermöglicht.
„Angesichts des steigenden Energiebedarfs von KI vereinfacht der Umstieg auf einen 800-VDC-Eingang das Rack-Design, optimiert die Platznutzung und reduziert den Kupferverbrauch“, so Roland Saint-Pierre, Vice President Product Development bei Power Integrations. „Wir sind überzeugt, dass 1250-V- und 1700-V-PowiGaN-Geräte aufgrund des steigenden Energiebedarfs von Racks die ideale Wahl für primäre und sekundäre Stromversorgungen darstellen, da sie die in 800-VDC-Rechenzentren erforderliche Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte bieten.“.
Power Integrations, der einzige Anbieter von 1250V- und 1700V-Hochspannungs-GaN-Schaltern in Massenproduktion, stellte seine ersten integrierten GaN-Schaltungen im Jahr 2018 vor und hat derzeit mehr als 175 Millionen GaN-Schalter im Einsatz, die in Endprodukten von Schnellladegeräten über Rechenzentren bis hin zu Elektrofahrzeugen verwendet werden.
