SiC-Bauelemente ergänzen zusammen mit Microchips breitem Angebot an Mikrocontrollern und Analoglösungen die wachsende Familie zuverlässiger SiC-Produkte. Diese Produkte erfüllen die Anforderungen an verbesserte Systemeffizienz, Robustheit und Leistungsdichte in Elektrofahrzeugen und anderen Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Industrie, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung.
Microchip erweitert sein Portfolio an SiC-Leistungsmodulen um 700-V-SiC-MOSFETs sowie 700-V- und 1200-V-SiC-Schottky-Dioden. Die über 35 neuen diskreten Produkte sind in großen Stückzahlen verfügbar und werden durch ein breites Spektrum an Entwicklungsdienstleistungen, Tools und Referenzdesigns sowie durch ihre außergewöhnliche Robustheit, die in strengen Tests nachgewiesen wurde, unterstützt. Die umfangreiche Familie an Halbleiterchips, diskreten Bauelementen und SiC-Leistungsmodulen ist in verschiedenen Spannungs- und Stromstärken sowie Gehäuseformen erhältlich.
Die SiC-MOSFETs und Schottky-Barrieredioden von Microchip bieten effizienteres Schalten bei höheren Frequenzen und übertreffen die Anforderungen von Robustheitstests, die für die langfristige Zuverlässigkeit als entscheidend gelten. Die SiC-Schottky-Barrieredioden des Unternehmens verbessern die Leistung im Vergleich zu anderen SiC-Dioden um etwa 20 % in Robustheitstests mit ungespanntem induktivem Schalten (UIS). Diese Tests messen, wie gut die Bauelemente Degradation oder vorzeitigem Ausfall bei Lawinenüberspannungen standhalten, die auftreten, wenn ein Spannungsstoß die Durchbruchspannung des Bauelements überschreitet.
