Als erstes SFPMOS™-Produkt (Shielded Field-Plated Mesh MOSFET™) weist es einen nominalen Durchlasswiderstand Rds(on) von nur 4 mΩ bei einer Gate-Spannung von U_GS = 1 V auf. Die Durchbruchspannung U_BR beträgt 40 V. Unterhalb dieser Schwellenspannung sind die Leckströme über einen weiten Temperaturbereich extrem niedrig. Bei einer Betriebstemperatur von 25 °C liegen sie deutlich unter 1 µA und erreichen selbst bei 150 °C nur 1 mA. Daher eignen sich SFPMOS™-Transistoren besonders gut für den Einsatz in Mobilgeräten oder überall dort, wo eine lange Akkulaufzeit wichtig ist.
Die SFPMOS™-Serie umfasst Leistungstransistoren mit Durchbruchspannungen von 8 V bis 200 V. Sie sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, darunter SC-75/SOT-416, 3x3 PQFN und 5x6 PQFN.

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