Der IRFH7185TRPbF nutzt das neue 100V FastIRFET™-Verfahren des Unternehmens und erzielt einen herausragenden Rds(on)*Qg-Faktor, was Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit erhöht.
Der IRFH7185TRPbF bietet einen extrem niedrigen Rds(on)-Wert, wodurch die Gate-Belastung im Vergleich zu anderen Bauelementen deutlich reduziert wird und sowohl bei kleinen als auch bei maximalen Lasten eine hohe Leistung erzielt wird. Die neue 100V FastIRFET™-Bauelementarchitektur bietet eine um 20 % verbesserte Lawinenstromdichte und macht ihn damit zur robustesten DC/DC-Netzteillösung auf dem Markt für Telekommunikationsanwendungen. Die
FastIRFET™-Bauelemente von IR sind mit jedem Controller oder Treiber kompatibel und bieten Designflexibilität sowie höhere Strom-, Effizienz- und Frequenzwerte bei geringem Platzbedarf. Der IRFH7185TRPbF ist für industrielle Anwendungen mit Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1 (MSL1) zugelassen und wird in einem Standard-PQFN-Gehäuse (5x6) geliefert, das sich durch seine umweltfreundliche, bleifreie und RoHS-konforme Materialliste auszeichnet.
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- Kategorie: Integrierte Schaltungen
FastIRFET™ PQFN 5x6 100V Leistungs-MOSFET für Telekommunikationsnetzteile
Der neue IRFH7185TRPbF FastIRFET™ 100V Leistungs-MOSFET bietet eine Benchmark-Performance für DC-DC-Netzteile, die in Telekommunikationsanwendungen eingesetzt werden.
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