Die AUIRFN8459 und AUIRFN8458 sind die ersten Vertreter einer Familie von Dual-5x6-mm-PQFN-Leistungs-MOSFETs in Automobilqualität, basierend auf der fortschrittlichsten 40-V-COOLiRFET™-Trench-Technologie von IR. Der AUIRFN8459 erreicht einen extrem niedrigen Rds(on)-Wert von 5,9 mΩ pro Kanal und kann einen hohen Strom von 50 A treiben.

Diese neuen Dual-5x6-mm-COOLiRFET™-PQFN-Bauelemente bieten zudem einen geringen Wärmepfad zur Leiterplatte und eine deutlich verbesserte Wärmeleistung im Vergleich zu einem SO-8-Gehäuse. Dies führt zu höherer Effizienz, besserer Leistungsdichte und insgesamt geringeren Systemkosten.
 
Die Automobil-MOSFETs von IR werden dynamischen und statischen Mittelwerttests sowie einer 100% automatisierten visuellen Waferprüfung unterzogen. Diese Maßnahmen sind Teil der Automotive Quality Initiative von IR, die auf Null Fehler abzielt. Die AEC-Q101-Zulassung erfordert eine maximale Abweichung des Rds(on)-Werts von 20 % nach 1.000 Temperaturzyklen.
 
Das neue Bauteil ist nach AEC-Q101 zugelassen und besteht aus umweltfreundlichen, bleifreien und RoHS-konformen Materialien.

Weitere Informationen oder ein Angebot