In den letzten Jahren hat der zunehmende Trend zur Energieeinsparung in allen Sektoren die Nachfrage nach energieeffizienten Leistungshalbleitern erhöht, insbesondere für industrielle Anwendungen wie Universalwechselrichter und Produktionsanlagen. Die meisten Hilfsstromversorgungen, die die Ansteuerspannungen für Stromversorgungsschaltungen, Steuer-ICs und verschiedene ergänzende Systeme bereitstellen, verwenden Silizium-MOSFETs mit einer hohen Durchbruchspannung (über 1000 V). Diese Hochspannungs-MOSFETs weisen jedoch erhebliche Leitungsverluste auf (die oft zu starker Wärmeentwicklung führen) und stellen Herausforderungen hinsichtlich des Flächenbedarfs und der Anzahl externer Bauteile dar, was die Miniaturisierung von Systemen erschwert. Als Antwort darauf hat ROHM verlustarme SiC-MOSFETs und Steuer-ICs entwickelt, die die Leistung maximieren und zur Miniaturisierung des Endprodukts beitragen.
Der SCT2H12NZ bietet die hohe Durchbruchspannung, die für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen erforderlich ist. Die Leitungsverluste werden im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs um den Faktor 8 reduziert, wodurch die Energieeffizienz gesteigert wird. In Kombination mit dem speziell entwickelten AC/DC-Wandler-Steuer-IC von ROHM für SiC-MOSFETs (BD7682FJ-LB) lässt sich die Leistung maximieren und der Wirkungsgrad um bis zu 6 % verbessern. Dies ermöglicht den Einsatz kleinerer Peripheriebauteile und trägt so zur weiteren Miniaturisierung bei.
Hauptmerkmale:
1. Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.
Im Vergleich zu 1500-V-Silizium-MOSFETs, die in Hilfsstromversorgungen für Industrieanlagen eingesetzt werden, bietet der SCT2H12NZ eine höhere Durchbruchspannung (1700 V) bei einem 8-fach niedrigeren Einschaltwiderstand (1,15 Ω). Darüber hinaus gewährleistet sein kompaktes TO-3PFM-Gehäuse die für Industrieanlagen erforderliche Kriechstrecke (gemessen entlang der Oberfläche des Isoliermaterials). ROHM bietet außerdem eine SMD-Version (TO268-2L) mit der entsprechenden Kriechstrecke an.
2. Verbesserte Effizienz in Kombination mit dem ROHM-eigenen IC.
Durch die Verwendung dieses neuen SiC-MOSFETs zusammen mit dem speziell für SiC-MOSFET-Antriebe entwickelten AC/DC-Wandler-Steuer-IC (BD7682FJ-LB) von ROHM wird die Leistung maximiert und die Effizienz um bis zu 6 % gesteigert. Die Wärmeentwicklung wird ebenfalls reduziert, wodurch thermische Gegenmaßnahmen minimiert und der Einsatz kleinerer Bauteile ermöglicht wird.
3. Einfache Evaluierung mit dem ROHM-Evaluierungsboard für SiC-Bauelemente.
Als umfassender Halbleiterhersteller bietet ROHM eine breite Palette an ICs, die für verschiedene SiC-Bauelemente optimiert sind. ROHM stellt außerdem Evaluierungsboards und -kits zur Verfügung, die eine sofortige Evaluierung und Entwicklung ermöglichen. Neben dem BD7682FJ-LB-EVK-402 ist ein Gate-Treiberboard zur Evaluierung des kompletten ROHM-SiC-Moduls sowie ein Dämpfermodul erhältlich. Weitere Informationen finden Sie auf der Support-Seite von ROHM.
Anwendungsbereiche
Hilfsstromversorgungen für industrielle Hochspannungsanlagen (400 VAC) wie z. B. industrielle Automatisierungsanlagen (Roboter), Solaranlagen und industrielle Wechselrichter sowie Fertigungs-/Testgeräte.
