Die Geräte sind zu 100% kompatibel mit dem Industriestandard Power-SO8-Gehäuse; kein anderes kompaktes Oberflächenmontagegerät erfüllt bisher die Anforderungen von UL2595, die Mindestisolationsabstände und Kriechstrecken von 1,5 mm zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen vorschreibt.
Im Gegensatz zu einigen konkurrierenden Power-SO8-Typen, die durch Bonddrähte gefertigt werden, verwendet das LFPAK56-Gehäuse von Nexperia eine Kupferklemme, die in einem einzigen Arbeitsgang auf die Chipoberfläche gelötet wird. Dies reduziert den Leckwiderstand und verleiht dem LFPAK56 überlegene elektrische und thermische Eigenschaften sowie eine erhöhte Zuverlässigkeit. Die neuen N-Kanal-MOSFETs PSMN0R9-30ULD und PSMN1R0-40ULD im verbesserten SOT1023A-Gehäuse zeichnen sich durch einen Leckstromabstand von 1,5 mm und einen Abstand von 1,55 mm aus. Der PSMN0R9-30ULD ist für 30 V ausgelegt und liefert einen Widerstand von 0,87 mΩ bei 300 A, während der PSMN1R0-40ULD für 40 V ausgelegt ist und einen Widerstand von 1,1 mΩ bei 280 A liefert.
Eric Su, International Director of Product Marketing, erklärt: „UL2595 ist ein wichtiger US-amerikanischer Standard, der auch von anderen internationalen Regulierungsbehörden übernommen werden könnte. Gerätehersteller bevorzugen es zudem, ein globales Produkt zu entwickeln, das die anspruchsvollsten Standards erfüllt, anstatt mehrere Versionen für verschiedene geografische Regionen anzubieten. Daher ist es wichtig, dass Entwickler wissen, dass Standard-Power-SO8-Geräte die UL2595-Norm nicht erfüllen, aber ein geeigneter Ersatz verfügbar ist.“.
Die MOSFETs PSMN0R9-30ULD und PSMN0R9-40ULD gehören zur NextPowerS3-Gerätefamilie von Nexperia und bieten eine Kombination aus niedrigem RDS (on), hohem Spitzenstrom und sicherem Arbeitsbereich (SOA), ideal für Anwendungen zur Steuerung von Batteriemotoren.
