Zielanwendungen umfassen EPS, DC/DC-Wandler und Lastschalter.
Jedes Bauteil verfügt über einen Chip im U-MOSVIII-H-Prozess im TO-220SM(W)-Gehäuse. Der Gehäusewiderstand wird durch einen neuen internen Kupferverbinder auf ein Minimum reduziert. Dies führt zu branchenführenden Durchlasswiderständen bei VGS ch _- c
_{= 10 V. RDS(on) beträgt typisch 0,78 mΩ für den TK200F04N1L und} typisch den TK160F10N1.
_{2,0 mΩ} für )
Beide Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Wärmewiderstand von Rth ₍ = 0,4 °C/W (max.) und ein maximales Kanaltemperaturverhältnis von 175 °C aus.
Diese neuen MOSFETs bieten höchste Effizienz und geringste Wärmeentwicklung. Darüber hinaus verfügt der U-MOSVIII-H im Vergleich zur Vorgängergeneration über eine verbesserte Unterdrückung der Schaltwelligkeit. Dies kann zur Reduzierung von elektromagnetischen Störungen (EMI) in Anwendungen beitragen.
Die Modelle TK160F10N1 und TK200F04N1L erfüllen die Automobilqualifikationsanforderungen nach AEC-Q101.

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