Dieser Erfolg ist das Ergebnis von über einem Jahr gezielter Design- und Prozessoptimierung auf der Process Design Kit (PDK)-Plattform von OpenLight in Zusammenarbeit mit Tower Semiconductor. Dadurch konnte OpenLight seine 448G EAM-Technologie deutlich weiterentwickeln und eine differentielle 3-dB-Bandbreite von nahezu 100 GHz sowie ein Extinktionsverhältnis (ER) von über 3,5 dB bei 2,0 Volt differentieller Spannung demonstrieren. Diese Ergebnisse ermöglichen eine robuste Performance bei Terabit-Datenraten bei gleichzeitig hoher Energieeffizienz und einfacher Fertigung. Die hochintegrierte PIC-Lösung eignet sich ideal nicht nur für Modul- und Transceiver-Anwendungen, sondern auch für die aufstrebenden Bereiche der Co-Packaged Optics (CPO) und Near-Packaged Optics (NPO), in denen Energieeffizienz, thermische Leistung und einfache Gehäusekonstruktion entscheidend sind.
Die 3,2T DR8 PICs von OpenLight, die auf der EAM 448G-Technologie mit hoher Bandbreite und niedriger Einschaltspannung basieren, machen externe CW-Laserquellen überflüssig und vereinfachen die Gehäuseanforderungen erheblich. Dank einer Kopplungseffizienz von ca. 90 % zwischen den aktiven Elementen und dem Silizium-Wellenleiter sowie der niedrigen Einschaltspannung von 2 V der InP-EAM-Technologie bietet OpenLight eine extrem energieeffiziente Lösung. Im Volllastbetrieb (3,2T) beträgt die Verlustleistung des PICs bei 80 °C weniger als 2 W, was ca. 0,63 pJ/Bit entspricht. Dies stellt eine deutliche Verbesserung der thermischen Effizienz gegenüber Vorgängergenerationen dar.
Aufbauend auf dieser Plattform präsentiert OpenLight den 3,2T DR8 PIC als Erweiterung der Architektur des 1,6T DR8 PIC. Dies ermöglicht einen konsistenten und skalierbaren Designansatz über verschiedene Datenratengenerationen hinweg und erlaubt Kunden die Nutzung einer gemeinsamen Plattform für schnelle und nahtlose Implementierungen von 1,6T bis 3,2T. Alle aktiven Komponenten der PH18DA-Plattform, einschließlich derer im 3,2T DR8 PIC, wurden unabhängig nach dem Telcordia-Standard GR-468 qualifiziert und bieten somit zusätzliche Sicherheit für den Einsatz in hochverfügbaren Rechenzentren.
„Wir freuen uns sehr, unseren Kunden dank unserer engen Zusammenarbeit mit OpenLight eine 3,2T-Lösung anbieten zu können“, sagte Dr. Ed Preisler, Vice President und General Manager der RF Business Unit bei Tower Semiconductor. „Wir sehen großes Potenzial für unsere PH18DA-Technologie, unseren Markt durch die Integration von Lasern, EAMs und anderen InP-Komponenten in unsere Siliziumphotonik-Plattform weiter auszubauen.“
„Der 3,2T DR8 PIC mit 448G EAMs bietet deutliche Vorteile hinsichtlich Energieeffizienz, Kosten und Produktionszeit“, sagte Dr. Adam Carter, CEO von OpenLight. „Die überlegene Leistung unserer 448G EAMs ermöglicht unseren Kunden einen direkten, skalierbaren Weg von 1,6T über 3,2T bis hin zu 400G pro Lane und ist ideal nicht nur für DR8- und FR4-Modul- und Transceiver-Anwendungen, sondern auch für neue CPO- und NPO-Anwendungen.“
Diese Plattformverbesserungen haben auch die Weiterentwicklung des 1,6T DR8 PIC von OpenLight ermöglicht. Die 224G EAM-Bausteine befinden sich nun in der Beta-Phase und sind in LRO- und LPO-Varianten erhältlich. OpenLight hat Aufträge von führenden Transceiver-Herstellern zur Unterstützung von Produktions- und Qualifizierungsprogrammen erhalten, was die zunehmende Kundennachfrage im Zuge der Produktionsreife widerspiegelt.
Alpha-Muster der 3,2T DR8-Plattform sind ab heute verfügbar, Wafer sind sofort lieferbar und ein Evaluierungsboard mit integriertem 448G-Modulator und Treiber via Flip-Chip wird voraussichtlich bis Ende März 2026 verfügbar sein. Beta-Muster der 3,2T DR8 für die Modul- und Transceiver-Qualifizierung werden voraussichtlich im vierten Quartal 2026 verfügbar sein.
