Die UF4C/SC SiC-FETs von Mouser Electronics bieten Entwicklern eine Vielzahl an Durchlasswiderstands- und Gehäuseoptionen. Diese 1200-V-SiC-FETs sind mit Durchlasswiderständen (RDS(on)) von 23 bis 70 mΩ und in den Gehäusen TO-247-3L (drei Anschlüsse) oder TO-247-4L (vier Anschlüsse) erhältlich. Das TO-247-4L-Gehäuse verfügt über ein Kelvin-Gate, das für extrem niedrige Gate-Aufladung und hervorragende Sperrverzögerungseigenschaften sorgt. Dadurch eignen sich die FETs zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die eine Standard-Gate-Ansteuerung erfordern.
Alle Bauelemente der UF4C/SC-Familie können sicher mit einer Standard-Gate-Ansteuerspannung von 0 bis 12 oder 15 V betrieben werden und eignen sich daher als Ersatz für IGBTs, FETs oder Silizium-Superjunction-Bauelemente, ohne dass die Gate-Ansteuerspannung geändert werden muss. Zu den weiteren bemerkenswerten Merkmalen der UF4C/SC SiC-FETs gehören eine außergewöhnliche Schwellenstrom-Rauschreserve, die durch eine tatsächliche Schwellenspannung von 5 V gewährleistet wird, ein ausgezeichnetes Sperrverhalten und ein integrierter ESD-Gate-Schutz.
